ETRI, ‘실리콘-게르마늄 SS-HMOS’ 반도체 소자 개발 ‘실리콘 반도체의 터보엔진’이라 불리는 꿈의 차세대 반도체 기술이 국내 기술진에 의해 개발됐다. 한국전자통신연구원(ETRI) SiGe(실리콘 게르마늄)소자팀은 정보통신부 지원의 나노기술 관련 개발과제인 ‘실리콘 미래-신소자 기술 개발’(연구책임자 신규환 박사)의 일환으로 ‘실리콘-게르마늄 SS-HMOS' (Strained-Silicon Heterostructure MOS) 반도체 소자를 개발했다고 밝혔다. 이 소자는 기존 실리콘 MOS(Metal-Oxide-Semi con ductor) 소자에 비해 동작속도를 20% 증가시키고 잡음을 100분의 1로 감소시킨 것이다. 이 기술을 활용하면 현재 PC 중앙처리장치(CPU)의 속도를 최고 150배까지 향상시킬 수 있다. 특히, 이 기술은 고성능 반도체 논리회로의 전력 소모를 절반으로 줄일 수 있는 가장 실용적인 기술로 평가된다. 고속-저전력 CPU, 그리고 차세대 대용량 통신기술인 40Gbps 광네트워크, 50Mbps 무선랜 등 차세대 전자통신장비에 널리 활용될 것으로 보인다. 또 고집적회로에 이은 차세대 반도체인 GSI(Gigabit Scale Integration)와 나노집적회로의 유력한 대안이 될 것으로 기대된다. 이번 연구 결과는 세계적인 반도체 전문 학술지인 IEEE트랜스와 일렉트론디바이스에 게재될 예정이다. ETRI는 이 기술과 관련해 국내 특허 9건, 해외특허를 2건 출원한 상태라고 한다.