고품질 다이아몬드 반도체 제작 NTT는 내부에 미소한 상처가 적은 다이아몬드 반도체를 제작했다고 발표했다. 트랜지스터에 사용하면 동작속도는 종래 다이아몬드 반도체의 20배나 향상할 전망으로, 1~2년 이내에 실제 소자를 시작한다. 고온이나 고전압에도 견딜 수 있는 다이아몬드 반도체의 이점을 살려서 통신위성용 소자 등으로 실용화한다. 탄소를 포함한 메탄 등을 고온의 전리가스로 분해, 제각각 흩어진 탄소원자를 CVD로 기판 위에 적층시켜 다이아몬드 박막을 만든다. 지금까지보다 반응온도를 100~150℃ 낮추고, 원료가스의 순도를 높이거나 하여 미소한 손상의 원인이 되는 불순물을 줄였다. 시작 다이아몬드 박막은 흠집이 1㎠당 2만개로, 종래의 1/100이하가 되었다. 캐리어 이동속도는 1300㎠로 이론치에 가까운 수준. 지금까지의 다이아몬드 반도체는 70㎠였다. 다이아몬드 반도체는 실리콘 반도체에 비해 동작속도가 3배이며, 30배의 전압에 견디는 등 우수한 성능이 있다. (CJ)