삼성전자, 고유전막 공정 개발 HfO2-Al2O3 층상구조의 유전막 형성 공정기술 삼성전자(주)가 업계 최초로 회로선폭 70nm의 초미세 공정에서 전자의 이동을 완벽히 차단해 최적의 반도체 성능을 구현할 수 있는 ‘고유전막 공정’을 개발했다. ‘고유전막 공정’은 원자층증착(ALD) 기술을 적용해 반도체 회로 사이에 하프늄옥사이드(HfO₂)-알루미늄옥사이드(Al₂O₃)의 신소재로 새로운 층상구조의 유전막을 형성하는 공정기술이다. HfO₂-Al₂O₃고유전막 공정은 미국과 일본의 반도체업체가 경쟁적으로 개발해 온 탄탈륨옥사이드를 적용한 기존 유전막 공정기술에 비해 정전용량 향상과 공정수 감축이 가능한 획기적인 공정기술로 평가된다. 또한 500도 이하에서 진행되는 저온화 공정이므로 저온화 공정이 필수적인 시스템온칩 제조에 적합하며 기존 양산라인의 유전막 장비를 그대로 적용할 수 있어 시설투자비용을 절감할 수 있다.