ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계 반도체 InP기판으로 부활의 조짐 보이기 시작, 수명 2500시간 돌파 신뢰성 수명이 나오지 않아, 환상의 청색 반도레 레이저로 끝났던 ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계가 부활할 조짐을 보이기 시작했다. 上智대학의 岸野克巳 교수 등이 기판에 인디움·인(InP)를 사영, 발광 다이오드(LED)이지만 2500시간 정도의 수명을 갱신 중이다. 녹색대 발광재료가 공백이 되어 있어 녹색대 재료로서 빛을 볼 것 같다. 녹색대의 유력한 발광재료로 岸野 교수 등은 일본학술진흥회의「미래개척연구개발」의 일환으로, 현재, 녹색대에서 장수명 발광하는 재료가 결여되어 있기 때문에 ⅡⅥ족에 주목하여 개발해 왔다. 구체적으로는 기판을 갈륨·비소로 바꾸어, 셀렌화 아연과 격자정수가 맞는 인디움·인을 채용. 동시에 초격자 발광층에 재료를 단단하게 하는 베릴리움을 넣는 연구를 했다. 이 두 가지 요소로 결정의 결함이 진행되지 않게 되어 열화를 억제할 수 있었던 것. 이것으로 LED를 제작, 현재, 2500시간 이상의 수명을 기록하고 있다. 시간과 함께 광강도가 증가하는 것은 전극이 발광에 의해 아닐 효과를 받고 있기 때문이라고 한다. 셀렌화 아연계는 조성을 미조정함으로써 520~600나노미터까지의 발광을 커버할 수 있다. 현재 530~600나노미터의 녹색대에서 수명이 긴 적정한 재료가 없기 때문에 이것으로 수명이 확보되면 공백인 파장대를 메울 수 있는 유력하 재료계가 된다. ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계는 90년대 초두에 미국 3M사와 소니 등이 청색 반도체 레이저 후보로서 질화갈륨계에 앞서 개발에 착수했던 재료. 소니도 93년에 실온연속발진하였고, 96년에는 수 백 시간의 수명을 발표하기에 이르렀으나, 결국, 양자우물의 결정열화로 실용적 수명을 확보할 수 없어, 개발을 단념, 질화갈륨계에 시프트한 경위를 갖고 있다. 질화갈륨계에서는 인디움의 첨가량을 증가시키면 장파장 쪽에 시프트할 수 있으나 그대로 500나노미터 이상은 어려울 것 같다. 400나노미터대의 청색에서 한 번 실패를 했던 셀렌화 아연계이지만, 녹색대 장파장 측에서 재평가될 듯하다. (NK)