포스텍, 고성능 P형 반도체·트랜지스터 개발

새로 개발된 반도체의 구조와 전자 구조.(자료제공:포스텍)

포스텍(총장 김무환)은 노용영 화학공학과 교수와 박사과정 아오리우 씨 연구팀, 김명길 성균관대 재료공학부 교수가 공동으로 투명 잉크로 찍어내는 고성능 트랜지스터를 개발했다고 지난달 3일 밝혔다.
투명 전자 소재에는 전자가 이동하는 N형 반도체와 정공(hole)이 이동하는 P형 반도체가 모두 필요하지만, 금속산화물 기반 소재의 특성상 지금까지 N형 반도체만 존재하고, P형은 전하 이동도가 매우 낮은 단점이 있었다.
구리 요오드는 훌륭한 광전자적 특성을 가지고 있을 뿐 아니라, 섭씨 100도 이하의 낮은 공정온도에서 용액 공정을 통해 박막을 제조할 수 있다. 그러나 박막으로 제조할 때 다량의 구리(Cu) 빈 격자점이 생겨나고, 이 때문에 정공 도핑이 과하게 필요해 트랜지스터로 개발하기 어려웠다.
연구팀은 아연(Zn) 도핑을 이용한 화학적 용액 공정으로 투명한 P형 아연이 도핑된 구리 요오드(Zn-doped CuI) 반도체를 개발하고, 이를 통해서 고성능의 투명 박막트랜지스터와 전자회로를 만드는 데 성공했다.
섭씨 100도의 낮은 공정온도에서 제작된 박막트랜지스터는 5이상의 높은 정공 이동도와 백만 이상의 높은 전류점멸비를 획득했다. 이는 현재까지 보고된 금속산화물과 금속 할로젠화물(halide)투명 P형 반도체 중 세계에서 가장 높은 성능이다.
특히, 연구팀은 아연이 도핑된 구리 요오드 반도체를 다양한 용매에 용해하여 잉크로 제조하는 기술을 개발했다. 이는 간단한 인쇄공정으로 고성능 투명 P형 트랜지스터를 만들 수 있어, 제조공정 가격을 획기적으로 낮출 수 있을 것으로 기대된다.
노용영 교수는 “이번 연구에서 개발된 투명 P형 반도체 소재는 기존의 산화물 N형 반도체와 함께 투명 디스플레이, 투명 전자회로 및 광전자 소자에 향후 널리 사용될 것으로 기대된다”고 말했다. 연구성과는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)’에 8월 27일자로 게재됐다.