차세대 반도체 전극 구조 고안, 2004년 이후 실용화 日立제작소 중앙연구소는 2004년 이후에 실용화가 기대되는 차세대 반도체의 가장 적합한 전극 구조를 고안했다. 차세대 반도체는 미세한 반도체에서 전류가 새는 것을 방지하면서 전류를 효율적으로 제어하기 때문에 유전률이 높은 산화 알루미늄 등을 새로이 채용하는 검토가 진행 중이다. 단 산화알루미늄 등을 사용하면 동작속도가 느려진다는 것이 과제였다. 日立중앙연구소는 전류는 제어하는 전극(게이트) 바로 아래에 2㎚의 산화알루미늄 박막을 설치, 다시 그 아래에 이산화 실리콘 박막을 0.6㎚의 두께로 만들자 동작속도가 개선된다는 것을 밝혔다. 산화알루미늄 박막을 설치할 경우, 바로 아래의 이산화실리콘 박막은 얇을수록 좋다는 견해가 있었으나 두께가 0.6㎚ 이하일 경우 산화알루미늄 박막과의 사이에 전류가 멈춰서 전류의 흐름을 방해한다고 판단했다. 지금까지보다 400℃ 높은 900℃ 정도에서 가열하여 만들어 넣자 성능이 올라간다는 전망을 얻었다. 반도체의 집적도의 한계를 극복하는 유망한 기술이 될 수 있을 것 같다. (CJ)