JFCC는 미세물질을 관찰하는 나노테크놀러지를 이용하여 반도체에 포함된 불순물의 농도계측정도를 높이는 기술을 개발하였다. 종래수법의 1/1000의 농도까지 측정할 수 있다. ‘전자선홀로그래피’법을 개량하여 측정대상에 렌즈로 제어한 전자를 넣어, 뽑힌 전자의 파를 전극의 움직임으로 겹친다. 그 파형을 전하결합소자(CCD)로 받아 화면처리하면 0.1㎚정도까지의 물질을 검지하여 표현한다. 카본나노튜브 등 미세물질의 원자에 나란한 것 등을 컴퓨터 화면상에 재현할 수 있다. 이 수법을 응용하여 반도체기판의 실리콘내부에 있는 불순물의 붕소와 비소의 농도를 계산하여 100만분의 1%까지 측정한다. 특수한 이온빔을 사용하여 반도체의 측정개소를 0.2㎛까지 박형화, 전자의 투과효율을 높였다. 불순물의 위치와 분포를 자세하게 조사할 수 있다. 미세회로를 가진 차세대반도체의 개발에 이용할 수 있다. (CJ)