東北대학 다원물질과학연구소의 一色實 교수, 三村耕司 조교 등은 大阪아사히메탈 공장(大阪市 西成區, 사장 安部硏)과 공동으로 이온교환법 등을 이용한 새 프로세스로 순도가 99.999 %(5이온) 이상인 반도체용 초고순도 망간을 개발했다. 이 망간은 산화가 잘 진행되지 않아 금속광택을 잃지 않는다는 것이 특징. 東北大에서는 “화합물 반도체 소재 등에 이용을 기대할 수 있다”고 보고 있다. 이번에 연구팀은 전해망간(3이온)을 원료로 염산수 용액에 용해. 이 용액을 커럼에 통과시키고, 이온교환법으로 금속불순물을 제거. 그 후, 독자의 정제법으로 산소, 질소, 유황 등의 가스 불순물을 종래의 고순도 망간에 비해 100분의 1이하로 감소시켰다. 실험실 레벨에서는 순도 6이온의 초고순도 망간 개발에 길을 열었다고 한다. 초고순도 금속은 모든 불순물을 가능한 한 줄인 금속. 신기능을 가진 디바이스 개발 등 신기능 재료를 만들어내는 소재로서 주목되고 있다. 망간은 차세대 반도체인 MRAM(자성기록방식 수시(隨時) 기록판독 메모리)와 광아이솔레이터용 벌크 결정에도 사용되는 것으로 보다 성능을 높이기 위해 반도체 그레이드의 초고순도 망간이 요구되어 왔다. (NK)