매리랜드 대학의 물리학자들은 기존 반도체 재료보다 25%이상 전자 이동도가 뛰어나 현재 컴퓨터 칩에 사용되고 있는 실리콘 소자보다 70배나 큰 전자 이동도를 갖는 반도체 나노튜브 트랜지스터를 개발하였다. 전자 이동도는 반도체에서 전자가 얼마나 전자를 잘 통과시키는지를 평가하는 척도이다. 이번에 개발된 트랜지스터의 이동도는 100,000㎠/Vsec이상인 것으로 보고되었다. 이 측정을 하기 위해 팀은 매우 긴 나노튜브(0.3mm 이상되는)를 사용하였다. 나노튜브는 평평한 실리콘 칩 위에서 직접 성장 시켰으며 전자를 연결하기 위한 SEM을 이용해 나노튜브를 칩 위에 위치시키는 특별한 기술을 개발하였다. (ACB)