산업자원부에서는 올해부터 고전압, 고주파 전력용 소자개발에 필요한 SiC반도체 응용기술을 확보하고 시제품 제작에 본격 나설 계획이다. SiC 반도체 개발사업은 오는 2004년까지 2년간 추진되며 정부예산 28억4천만원을 포함, 총 46억5천만원이 투입된다. 이번 사업의 총괄 주관은 한국전기연구원이 맡았으며 이츠웰, 한국쌍신전기, 네오세미테크 등의 업체가 참여한다. 1단계 사업에서 확보한 기술을 기반으로 사업화 가능성이 높은 분야의 시제품 제작까지 추진할 방침이다. 특히 고전압 SiC쇼프키다이오드, 고주파 SiC FET 전력증폭 소자, SiC단결정 성장 및 웨이퍼 제조기술 개발에 나섬으로써 고부가가치 핵심소재의 국내 양산기술도 확보한다는 계획이라고 밝히고 있다.