助川電氣工業은 전자충격에 의해 2000℃까지 가열할 수 있는 새로운 가열법을 개발했다. 종래 방식에 비해 높은 가열온도가 있으면서 사용하는 에너지는 적고 균등하게 열을 줄 수 있다는 것이 특징으로 실리콘 카바이드(SiC)반도체 제조용 히터로서의 용도를 전망하고 있다. SiC반도체는 차세대의 파워디바이스로서 주목되고 있는데 웨이퍼에 대한 고온의 균등한 열처리가 필요하다는 것이 기술상의 걸림돌이 되어 왔다. 새 히터는 필라멘트를 카본용기 그라파이트 서셉터로 밀봉, 내부를 고진공 상태로 유지하고, 고온으로 만든 필라멘트에서 발생하는 열전자를 고전압으로 가속, 그때 생기는 전자충격으로 가열한다. 방향성을 가지므로 가열면에 균등하게 열을 전달할 수 있다. 이 회사에서는 새 가열법에 의한 히터 ‘배면전자충격가열식 고온기판 히터(BBP히터)’를 제작. SiC반도체의 생산공정 가운데 고온이면서 균등한 가열이 요구되는 아닐 공정용 히터로서 그 1호기를 대기업에 납품했다. BBP히터의 최고가열온도는 2000℃. 고주파 가열방식에서는 절연성능상 1500℃ 정도가 이용한도라고 알려져 있었다. 승온속도는 1분당 300℃, 강온속도는 동 200℃이고, 소비전력은 1사이클당 1.2킬로와트/시(時). 종래의 고주파 가열장치에 비해 사용하는 전력, 냉각수는 모두 약 10분의 1이다. SiC는 전기저항이 적고 고온에서 견딜 수 있다는 점에서 전력관련이나 자동차, 철도 등 폭넓은 분야에서 수요가 전망되고 있다. 이 회사는 새 히터의 개발을 계기로 SiC반도체의 제조장치용 히터 시장에 본격 참여할 생각. 다른 시장에서의 요구도 개척해 나간다. (NK)