에스엔티(대표 이재홍)가 개발한 LP CVD(저압 화학기상증착) 공정용 Si-SiC(규소―탄화규소) 튜브ㆍ보트ㆍ홀더 캡이 반도체협회장상의 수상의 영예를 안았다. 이 Si-SiC 튜브는 LP CVD 공정 상에서 열이 웨이퍼에 균일하게 전달하기 위한 열 균열관이고, Si-SiC 보트는 웨이퍼 172장을 동시에 처리할 수 있도록 해주는 웨이퍼 캐리어이다. 또한 Si-SiC 홀더 캡은 LP CVD 공정에서 Si-SiC 보트에 열을 균일하게 전달하도록 하는 회전축이다. 현재 이들 제품을 제조하기 위해서는 고난이도의 복합기술이 요구돼, 전 세계적으로 이들 제품을 생산하고 있는 것은 일본 도시바세라믹, 아사히글래스, 프랑스 상고방 3개사 밖에 없다. 국내 업체로는 에스엔티가 유일하다. SiC는 반도체 제조 공정에 필요한 특성(고강도ㆍ내열충격성ㆍ열전도성 등)을 두루 갖춘 재료로, 반도체 웨이퍼 크기가 200mm에서 300mm로 전환되면서 장비를 구성하는 세라믹 재료의 주축을 이루고 있다. 또한 기존 반도체 웨이퍼 캐리어로 사용됐던 쿼츠 등을 향후 세라믹이 대체할 것으로 예상, LCD 유리기판 및 반도체 웨이퍼 대형화에 따라 앞으로 세라믹의 사용은 더욱 증가할 전망이다.