동의대 연구팀은 차세대 반도체 핵심소재인 실리콘 카바이드(SiC·SiliconCarbide, 탄화규소) 웨이퍼(Wafer)를 국내 최초로 직경 5cm 이상 크기로 개발하는 데 성공했다고 최근 밝혔다. 이 소재는 기존 실리콘 반도체가 섭씨 100℃의 열에 치약한 점을 보완해 800~1000℃의 고온에서도 기능을 유지하는 것으로 국내 연구기관들이 앞 다퉈 개발 중인 첨단 신소재다. 동의대 전자세라믹스센터 신병철 소장(나노공학부 교수)은 “이 반도체 소재는 800℃이상의 초고온에서 견딜 수 있어, 고온에서 발생하는 잦은 오작동과 고장을 일으켜 별도의 냉각장치가 필요했던 기존 실리콘 반도체를 대체할 고부가가치 소재”라며 “국내 반도체 부품과 우주 항공, 자동차 전자장비 부품의 국산화를 기대할 수 있게 됐다”고 밝혔다.