일본원자력연구소와 산업기술종합연구소는 입방정 탄화규소 반도체를 기판으로 한 고성능 금속산화막 반도체(MOS) 전계효과 트랜지스터(FE T)를 공동 개발하여, 성능의 지표인 채널 이동도 1볼트초 당 230평방센티미터로 세계최고 성능을 달성했다고 발표했다. 産總硏이 제작한 입방정 탄화규소 단결정에 原硏이 개발한 고온이온 주입, 수소연소산화기술을 적용했다. 시장규모가 큰 수백 볼트급의 가전제품에 이 트랜지스터가 실용화되면 매우 큰 에너지 절약 효과를 기대할 수 있는 이외에 우주, 원자력산업에도 공헌을 기대할 수 있으리라 보고 있다. 입방정 탄화규소는 고품질의 단결정 육성이 매우 어려웠으나, 産總硏은 실리콘의 융점(1400℃) 이상의 온도영역에서 화학기상성장(CVD)법에 의한 결정육성기술의 개발을 진행, 1600℃의 고온 조건에서 소자 제작에 적합한 고품질 p형 입방정 탄화규소 단결정막의 성장에 성공했다. 한편, 탄화규소 반도체의 소자화 프로세스 기술에서, 原硏은 인 이온을 800℃에서 어느 정도의 결정성을 갖게 한 채로 입방정 탄화규소에 주입하고, 그 후 1650℃에서 잔류결함을 제거했다. 또 수소를 연소시키면서 탄화규소를 산화시키는 기술을 고안, 이로써 고품질의 게이트 산화 절연막을 생성하게 되고, 그것을 트랜지스터 성능의 향상으로 연결시킬 수 있었다. (NK)