일본제온은 반도체의 기반재료가 되는 새로운 저유전율 절연막(로우K)를 개발했다. 종래품에 비해 강도가 2배 이상 높아지는 등 성능이 향상되었다. 2007년도에 50억 엔의 매상을 목표로 한다. 개발한 절연막은 원료에 프롤로카본계 화합물을 사용한다. 유전율이 2.2로 실용화 단계에서 가장 낮은 값을 실현했다. 종래는 내부에 규칙적인 구멍이 뚫린 ‘폴라스실리카’라고 하는 재료를 사용했기 때문에 강도를 높이기는 어려웠다. 반도체는 고속화, 저소비전력화를 지향하며 미세화가 진행되고 있다. 작년까지 실용화되어 있는 반도체의 경우 회로선 폭은 90나노미터. 올해부터는 선 폭 65나노미터의 반도체 생산이 개시될 전망이다. 선의 폭이 좁아짐에 따라 절연막의 유전율을 낮출 것으로 요구되고 있다. 유전율을 낮추면 강도가 약해지는 등 실용화가 어려웠다. (일경산업)