광촉매 리소그래피법의 해상도 100배향상 성공 東京대학 생산기술연구소의 立間徹 조교수, 동 공학계 연구과의 藤嶋昭 교수는 大日本印刷의 협력을 얻어 광촉매 리소그래피법의 해상도를 100배 향상시키는데 성공했다. 포토마스크와 산화티탄 광촉매면이 떨어져 있어 빛의 회절 등이 생기기 때문에 그 둘을 일체화하여 선폭 5마이크로미터를 달성했다. 표시 디바이스용 칼라필터 이외에 바이오, 화학칩 등 미세가공이 필요한 분야에서의 응용을 추진할 수 있게 될 듯하다. 이것은 산화티탄막에 자외선을 조사하면 발생한 활성산소가 마주한 플라스틱 등을 산화, 가공하는 현상을 이용한 방법. 東大 연구팀이 발견하여 개발, 레지스트를 사용하지 않고 반도체, 금속, 다이아몬드 등을 산화할 수 있다는 것을 밝혔다. 지금까지는 가공면 반대편에 기판에 부착한 광촉매 막, 또 기판에 부착한 포토마스크를 겹쳐서 그 위에서 자외선을 조사했다. 이때 포토마스크를 통한 빛은 또 하나의 두께 약 1밀리미터의 기판을 투과할 때에 회절이 일어나 빛이 퍼져 버린다. 따라서 선폭 500마이크로미터가 한계였다. 이번에는 광촉매 막과 포토마스크를 일체화한 하나의 기판에 얹은 것을 大日本印刷가 제작, 사용했다. 이것으로 산화티탄에서 발생한 활성산소 등은 접근한 가공면의 극히 작은 부분에서 반응, 선폭 5마이크로미터 등 높은 해상도를 얻을 수 있었다. 이것을 이용하면 실리콘의 미세부분을 절연성 실리카로 바꾼 디바이스, 강한 산화로 도랑을 판 마이크로칩 등의 제작을 기대할 수 있을 것 같다. (NK)