세라믹스 관련 주요 특허출원 공개목록
◈ 내국인 2009년 2월 1일~2월 28일
번 호 명 칭 출 원 인
10-2009-0008631 리튬이차전지의 양극 물질 및 그 제조 방법 전남대학교 산학협력단
(Cathode material of Lithium-Ion batteres and method for thereof)
10-2009-7002532 슬래그의 안정화 방법 및 이를 통해 생성된 물품
(A METHOD FOR STABILIZING SLAG AND NOVEL MATERIALS 주식회사 에코마이스터
PRODUCED THEREBY)
◈ 외국인 2009년 2월 1일~2월 28일
번 호 명 칭 출 원 인
10-2009-0008911 폴리싱된 반도체 웨이퍼 (POLISHED SEMICONDUCTOR WAFER) 실트로닉 아게
10-2009-0010687 반도체 발광장치 및 이를 제조하는 방법
(Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same) 하이 파워 옵토일렉트로닉스, 아이엔씨
10-2009-0012585 P형 반도체 산화아연막 제조 공정 및 투명 기판을 사용한 펄스 레이저 피착 방법
(P-TYPE SEMICONDUCTOR ZINC OXIDE FILMS PROCESS FOR PREPARATION 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드
THEREOF, AND PULSED LASER DEPOSITION METHOD USING
TRANSPARENT SUBSTRATES)
10-2009-7002145 온도 측정에 의하여 반도체 메모리 장치에서 동적 리프레시를 개선하기 위한 장치 및 방법
(APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVING DYNAMIC REFRESH IN A 콸콤 인코포레이티드
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE BY TEMPERATURE MEASUREMENT)
10-2009-7003213 반도체 장치 및 그 제조 방법 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
(SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATING PROCESS)
주요 등록특허 공개내용 (2009년 2월 1일~2월 28일)
세라믹 기판과, 그 제조 방법 및 이를 구비한
측면 발광다이오드 패키지
등록번호|10-2009-0015233 출원번호|10-2007-0079383특허권자|알티전자 주식회사 발 명 자|이경우, 성재훈
개시된 세라믹 기판은 세라믹 플레이트 일면 상에 복수의 본딩 패드가 마련되고, 타면 상에 복수의 솔더링 패드가 마련되며, 복수의 본딩 패드와 복수의 솔더링 패드를 전기적으로 연결하는 비아 패턴이 세라믹 플레이트에 마련될 수 있다. 세라믹 기판은 단위 모듈로서, 세라믹 플레이트에는 행과 열로 복수개의 단위 모듈이 마련될 수 있는데, 짝수 행의 본딩 패드 패턴은 홀수 행의 본딩 패드 패턴과 서로 180도 회전된 형태로 설계될 수 있고, 비아 패턴은 홀수 행의 하단부와 짝수 행의 상단부의 양 단부에 걸쳐서 마련되어 각 단위 모듈을 분리 시, 동일한 형태의 세라믹 기판을 얻을 수 있다. 이와 같이 내열성이 좋은 세라믹으로 LED칩이 실장되는 기판을 만들므로, 열화 현상에 의한 광량 저하를 줄일 수 있으며, 한번의 비아 패턴 형성으로 2개의 단위 모듈에 비아 패턴을 형성시킬 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
세라믹 기판과, 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광 다이오드패키지
등록번호|10-2009-0018468 출원번호|10-2007-0082930특허권자|알티전자 주식회사 발 명 자|이경우, 성재훈
개시된 세라믹 기판은 세라믹 플레이트 일면 상에 복수의 본딩 패드가 마련되고, 타면 상에 복수의 솔더링 패드가 마련되며, 복수의 본딩 패드와 복수의 솔더링 패드를 전기적으로 연결하는 비아 패턴이 세라믹 플레이트에 마련될 수 있다. 세라믹 기판은 단위 모듈로서, 세라믹 플레이트에는 행과 열로 복수개의 단위 모듈이 마련될 수 있는데, 짝수 행의 본딩 패드 패턴은 홀수 행의 본딩 패드 패턴과 서로 180도 회전된 형태로 설계될 수 있고, 비아 패턴은 홀수 행의 하단부와 짝수 행의 상단부의 양 단부에 걸쳐서 마련되어 각 단위 모듈을 분리 시, 동일한 형태의 세라믹 기판을 얻을 수 있다. 이와 같이 내열성이 좋은 세라믹으로 LED칩이 실장되는 기판을 만들므로, 열화 현상에 의한 광량 저하를 줄일 수 있으며, 한번의 비아 패턴 형성으로 2개의 단위 모듈에 비아 패턴을 형성시킬 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
다층 세라믹 기판 및 그의 제조 방법
등록번호|10-2009-0015641 출원번호|10-2007-0080145특허권자|삼성전기주식회사 발 명 자|이영근
외부전극의 고착력을 강화시켜 전류 누설방지 및 실장위치의 높은 정확도를 보장하여 제품신뢰성이 향상된 다층 세라믹 기판 및 그의 제조 방법이 제안된다. 본 발명에 따른 다층 세라믹 기판은 회로패턴이 인쇄된 다층 세라믹 적층체와 외부전극 및 접착보조부재를 포함한다. 외부전극은 세라믹 적층체의 표면에 형성되어 회로패턴과 전기적으로 연결되어 있고, 접착보조부재는 외부전극의 표면 및 세라믹 적층체의 표면과 접촉하면서 형성된다.
정수압 성능이 우수한 다공체 압전 세라믹 및 그 제조 방법
등록번호|10-2009-0016063 출원번호|10-2007-0080425특허권자|재단법인 서울대학교산학협력재단, 경원훼라이트공업 주식회사
발 명 자|김현이 외 3명
용매에 5 내지 25vol% 의 압전 세라믹 분말을 분산시켜 상기 용매의 녹는점 이상의 온도에서 균일한 슬러리를 만드는 단계, 상기 슬러리를 주조체에 주입하여 고화시키며 상기 용매를 승화시켜 다공체 압전 세라믹 전구체를 형성하는 단계 및 상기 다공체 압전 세라믹 전구체를 소결하여 다공체 압전 세라믹을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정수압 성능이 우수한 다공체 압전 세라믹의 제조방법.
프로브 카드의 세라믹 슬릿 가공방법
등록번호|10-2009-0016146 출원번호|10-2007-0080591특허권자|김승태 발 명 자|김승태
본 발명은 프로브 카드의 세라믹 슬릿 가공방법에 관한 것으로서, 뮬라이트(Mullite) 재질의 세라믹 슬릿 모재 상에 상온 9~10℃의 온도를 갖는 절삭수가 공급되는 상태에서 20000~ 30000RPM의 회전속도 및 0.5~1mm/sec의 가공속도를 갖는 블레이드를 이용하여 상기 세라믹 슬릿 모재 상에 다수 개의 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 열팽창계수가 낮은 뮬라이트를 이용하여 정밀한 가공 조건 하에서 세라믹 슬릿을 제조함으로써 검사시 온도변화에 의한 열팽창에 의해 탐침과 웨이퍼의 각 반도체 칩 간의 정렬 오차를 방지함과 아울러 슬릿이 균일한 너비와 깊이로 형성되는 효과가 있다.
전기 저항이 제어된 플라즈마-내성 세라믹
등록번호|10-2009-0013645 출원번호|10-2007-0095451특허권자|어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
발 명 자|제니퍼, 선 와이 외 6명
부식성ㆍ침식성 플라즈마를 이용하는 반도체 프로세싱 조건하에서 부식ㆍ침식에 대해 내성을 가지는 특정 세라믹 물질이 제공된다. 부식성 플라즈마는 할로겐-함유 플라즈마일 수 있다. 특정 세라믹 물질은 플라즈마 아아크 발생 가능성을 억제하는 제어된 전기 저항을 제공하도록 개선된다.
균일한 과립의 금속계와 금속-세라믹계 분말
등록번호|10-2009-0019653 출원번호|10-2007-0110282특허권자|헤래우스 인코포레이티드
발 명 자|양 펭린, 데링턴 칼, 컨켈 베른드
균일하고 과립인 금속계 분말을 제조하는 방법으로 적어도 하나의 금속 원소 또는 금속 합금, 적어도 하나의 세라믹 화합물 및 또는 적어도 하나의 비금속 원소의 미리 선택된 양을 제공하는 단계, 금속 원소 및 또는 금속 합금, 세라믹 화합물 및 또는 비금속 원소, 적어도 하나의 액상 및 적어도 하나의 바인더 재료를 포함하는 액상의 미리 선택된 양을 형성하는 단계, 적어도 일부의 액상을 제거하고 부분적으로 또는 완전히 건조된 과립을 포함하는 분말 혼합물을 형성하기 위해 슬러리ㆍ써스펜션 또는 혼합물을 건조하는 단계 및 과립을 열적 디바인더 과정에 필용한 경우 잔류 액상의 추가적인 제거의 효과를 위해 노출시키는 단계, 적어도 하나의 바인더 재료의 제거, 탄소 함량의 감소, 과립 안에서 금속 또는 금속 합금상의 표면위 또는 내부에서의 산소의 감소 및 이어지는 과정을 견디기 위해 강화를 위한 선택적인 부분 소결의 단계를 포함한다. 결과적인 과립은 자기적인 데이터ㆍ정보 저장과 검색 매개체의 제조에서 고용되는 자기적 스퍼터링 타겟을 제조하는데 유용하다.
적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법
등록번호|10-2009-0012061 출원번호|10-2008-0063987특허권자|다이요 유덴 가부시키가이샤
발 명 자|카스야 유이치, 미즈노 요이치
본 발명은 비교적 낮은 코스트로 연속성이 양호한 내부 전극을 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 얻는 것을 목적으로 한다. 본 발명을 해결하기 위한 수단으로, 적층 세라믹 콘덴서(1)는 내부 전극층(4)이 금속 입자(40)로 구성되어 있다. 이 금속 입자(40)는 내부 전극층(4)의 면 방향으로 수평인 방향의 입자경(R)으로 구한 산술 평균 입자경이 내부 전극층(4)의 두께(T)보다 작게 되어 있으며, Ni 금속 입자에 Mn, Co, Fe, Cu, Nb, Ba, Ca, Sr, Ti, Zn 및 희토류 금속에서 선택되는 비금속 입자 또는 그 산화물의 입자를 피복한 도전 분말을 함유한 도전 페이스트를 이용하여 내부 전극층을 형성하고, 10-14~10-18atm의 산소 분압을 갖는 환원 소성 분위기 중에서 열처리함으로써 얻을 수 있다.
세라믹 그린시트 구조 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
등록번호|10-2009-0015811 출원번호|10-2008-0068991특허권자|티디케이가부시기가이샤
발 명 자|이구치 도시히로 외 6명
세라믹 그린 시트 구조는, 적어도 세라믹 재료 및 수지를 포함한 세라믹 그린 시트와 그 세라믹 그린 시트상에 형성된 도전층을 포함한다. 전극 비형성 영역의 공극도는 17%이상이며, 바람직하게는 25%이하이기도 한다. 또한 도전층이 형성된 전극 형성 영역의 공극도는 도전층이 형성되어 있지 않은 전극 비형성 영역의 공극도보다 작다.
비전도성 타겟을 사용하는 스퍼터링에 의한 세라믹 박막의
증착방법 및 그를 위한 장치
등록번호|10-2009-0012140 출원번호|10-2008-0072487특허권자|(주)누리셀 발 명 자|남상철 외 6명
본 발명은 세라믹 박막의 증착 속도 및 박막의 균일도를 향상시키기 위하여 비전도성 재질로 만들어지는 타겟을 진공 챔버 내에 위치시킨 상태에서 타겟에 교류 고주파 전원을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 형성시키고 이어서 타겟에 교류 고주파 전원과 직류 전원을 혼성화시켜 인가함으로써 진공 챔버 내에서 스퍼터링을 진행하여 진공 챔버 내에 위치하는 기판 위에 세라믹 박막을 증착하는 스퍼터링에 의한 세라믹 박막의 증착방법을 제공한다.
세라믹 적층체, 세라믹 부품, 세라믹 적층체의 제조 방법 및
세라믹 부품의 제조 방법
등록번호|10-2009-0012184 출원번호|10-2008-0073245특허권자|니뽄 가이시 가부시키가이샤
발 명 자|나메리카와 마사히코 외 5명
제1 세라믹 적층체(10A)는, 도체 성형체(12)를 갖는 제1 세라믹 성형체(14)와 제2 세라믹 성형체(16)가 적층되어 구성되어 있다. 제1 세라믹 성형체(14)는, 열경화성 수지 전구체와 세라믹 분말과 용제가 혼합된 제1 슬러리(18)를, 도체 성형체(12)를 피복하도록 도포한 후에 경화함으로써 얻어진다. 열경화성 수지로서는, 예컨대 폴리우레탄 수지를 사용할 수 있다. 제2 세라믹 성형체(16)는, 열가소성 수지와 세라믹 분말과 용제가 혼합된 제2 슬러리(20)를 경화함으로써 얻어진다. 열경화성 수지로서는, 예컨대 폴리올레핀 수지를 사용할 수 있다.
고온 본딩된 세라믹 상호 접속을 구비한 SOFC 스택 및
이를 제조하는 방법
등록번호|10-2009-0017474 출원번호|10-2008-7024149특허권자|다이요 유덴 가부시키가이샤
발 명 자|카스야 유이치, 미즈노 요이치
본 발명은 캐소드층, 상기 캐소드층상에 놓인 전해질층 및 상기 전해질층상에 놓인 애노드층을 구비하는 제 1 전지를 포함하는 일체형 SOFC 스택에 관한 것이다. SOFC 스택은 또한 캐소드층, 상기 캐소드층상에 놓인 전해질층, 및 상기 전해질층상에 놓인 애노드를 구비하는 제 2 전지를 포함한다. SOFC 스택은 상기 제 1 전지와 상기 제 2 전지 사이에 세라믹 상호 접속층을 추가로 포함하고, 상기 세라믹 상호 접속층은 상기 제 1 전지와 상기 세라믹 상호 접속층간에 계면 영역을 따라 제 1 고온 본딩 영역, 및 상기 제 2 전지와 상기 세라믹 상호 접속층간에 계면 영역을 따라 제 2 고온 본딩 영역을 갖는다.
세라믹 재료, 소결 세라믹 및 소결 세라믹으로 이루어진 소자,
제조 방법 그리고 세라믹의 용도
등록번호|10-2009-0015130 출원번호|10-2008-7031126특허권자|에프코스 아게 발 명 자|듀데제크, 파볼 외 3명
본 발명은 순수한 성분 A 및 B의 2상 혼합물로 이루어진 세라믹 혼합계에 관한 것으로서, 이 경우 상 A는 Bi3NbO7의 입방 결정계 내지 정방 결정계의 변체를 기초로 하고, 상 B는 Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7의 단사 결정계의 파이로클로르 변체를 기초로 한다. 이와 같은 세라믹 혼합계로부터 제조된 세라믹 몸체의 전기적 특성들은 다층 구조물을 갖는 커패시터 및 인덕터에 집적된 그리고 데이터 처리시에 또는 신호 처리시에 사용될 수 있는 컴포넌트용으로 적합한 재료를 만들어준다.
강화 코디에라이트 유리-세라믹
등록번호|10-2009-0021198 출원번호|10-2008-7032028특허권자|코닝 인코포레이티드 발 명 자|비일, 조지, 에이치
내부로 핵화되고 강화된 코디에라이트 유리-세라믹을 공개한다. 상기 코디에라이트 유리-세라믹은 우수한 내산화성, 파괴 인성(fracture toughness), 질화 실리콘(silicon nitride)에 필적할 열팽창계수를 가진다. 상기 유리-세라믹은 액체처럼 주조될 수 있다. 어닐링은 높은 경도(hardness), 높은 영률(Young’s modulus), 우수한 열적 안정성(thermal stability), 고 강도(strength), 낮은 밀도 및 우수한 유전 성질(dielectric properties)의 물질을 제조한다. 상기 유리-세라믹은 코디에라이트 및 긴(elongated) 구조 또는 침상(acicular) 구조를 갖는 2차상이 우세한 연동 결정상(interlocking crystalline phases)을 포함한다. 3차상은 상기 2차상의 침상도(acicularity)를 촉진하는 결정상 세라믹을 포함할 수 있다. 3차상은 바람직하게는 쌍정형성(twinning)을 할 수 있다.
세라믹 그린 시이트의 제조 방법, 적층 세라믹 전자 부품의 제조
방법 및 세라믹 그린 시이트용 캐리어 시이트
등록번호|10-2009-0015164 출원번호|10-2009-0003470특허권자|닛토덴코 가부시키가이샤 발 명 자|하나이 히로미
본 발명은 기저 필름의 한 쪽에 가열 박리 점착층 또는 자외선 경화형 박리 점착층을 갖는 캐리어 시이트(carrier sheet)의 해당 박리 점착층상에 소정의 전극 패턴을 형성한 후, 해당 전극 패턴이 형성된 상기 박리 점착층상에 세라믹 슬러리에 의해 세라믹 그린 시이트(ceramic green sheet)를 성형함을 특징으로 하는 세라믹 그린 시이트의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법에 의해 제조된 세라믹 그린 시이트는 패턴 정밀도가 우수한 전극을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 세라믹 그린 시이트를 형성한 후에는 캐리어 시이트를 용이하게 박리할 수 있다.
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