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  • 편집부
  • 등록 2009-11-18 17:38:54
  • 수정 2009-11-18 17:49:24
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                                                                                                         (2009년 8월 1일~8월 31일)


  무정질 물질 및 세라믹의 제조 방법  
등록번호|10-0912306-0000       출원번호|10-2004-7001672특허권자|쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니    
발 명 자|로젠플란즈, 아나톨리, 제트 외 2명
본 발명은 무정질 물질 및 세라믹 물질의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구현예는 연마 입자의 제조에 사용될 수 있다. 연마 입자는 접착된 연마재, 피복된 연마재, 부직 연마재, 및 연마 브러쉬를 포함한 다양한 연마 물품에 혼입될 수 있다. (a) 음의 산화물 형성 엔탈피를 갖는 1종 이상의 금속 M 또는 그의 합금을 포함하는 입자상 금속성 물질 및 (b) (i) M 산화물 및 M 산화물 이외의 금속 산화물의 공급원 또는 (ii) M 산화물을 포함하는 복합 금속 산화물 중 1종 이상을 용융시켜 용융물 중 금속 M의 적어도 일부는 산화되고, M 산화물, M 산화물 이외의 금속 산화물, 또는 복합 금속 산화물 중 1종 이상은 Al2O3를 포함하는 용융물을 제공하는 단계 및 상기 용융물을 냉각시켜 무정질 물질을 제공하는 단계를 포함하는, 무정질 물질의 총 중량을 기준으로 Al2O3 35 중량% 이상을 포함하는 무정질 물질의 제조 방법.      

  세라믹 필터 조립체 및 이의 조립방법 
등록번호|10-0915400-0000    출원번호|10-2007-0097681특허권자|나노케미칼 주식회사       발 명 자|김기호
본 발명은 세라믹 필터 조립체 및 이의 조립방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 상부는 개방부를 가지고 개방되고 하부는 밀폐된 통형 세라믹 필터, 상기 세라믹 필터의 상단면에 대응하는 형상을 가지고 이에 결합하는 상단 완충재, 상기 상단 완충재 및 상기 세라믹 필터의 상단 일부를 내부에 수용하는 결합부를 가지고 상기 세라믹 필터의 개방부에 대응하는 관통부를 가지는 상부캡, 상기 세라믹 필터의 하단면에 대응하는 형상을 가지고 이에 결합하는 하단 완충재, 상기 하단 완충재 및 상기 세라믹 필터의 하단 일부를 내부에 수용하는 결합부를 상부에 가지는 하부캡, 및 상기 상부캡 및 하부캡을 상하방향으로 고정하는 연결장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필터 조립체에 관한 것이다. 이를 통하여 고온·고압 조건에서 사용되는 세라믹 필터의 가공, 조립을 용이하게 하고 이를 통하여 소요비용이 저렴하고, 조립방법이 용이할 뿐만 아니라, 동시에 형상변경 및 대형필터의 조립이 용이하고, 이에 추가하여 기능성 및 범용성 등을 높일 수 있고, 고밀도의 조립과정으로 필터의 제한적인 공간 안에서 최대의 여과 면적을 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한 내화학성, 내마모성, 내열성 및 고밀도로 여과면적 조절범위가 상대적으로 우수한 효과가 있다.      

  절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의제조방법 
등록번호|10-0912573-0000     출원번호|10-2007-0110402특허권자|삼화콘덴서공업주식회사      발 명 자|이경민 외 4명
본 발명은 SMD형 세라믹 디스크 커패시터의 몰드 표면을 개선하여 양 단자간의 절연성을 향상시킨 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법에 관한 것으로, 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계 상기 커패시터의 상기 몰드의 일면에 절연성 소재로 이루어진 잉크를 이용하여 도포하는 단계 및 상기 잉크를 경화시키는 단계로 이루어진다. 본 발명은 고압용 세라믹 커패시터의 형상 및 자재를 변경하지 않고도 후속 공정을 통해 커패시터 몰드의 절연성을 향상시켜 줌으로써 부품의 신뢰도를 높여 주는 효과를 제공한다.

  석영유리 용사부품 및 그 제조방법
등록번호|10-0913116-0000      출원번호|10-2003-0021003특허권자|토소가부시키가이샤        발 명 자|타카하시코야타 외 1명
성막장치, 플라스마 처리장치 등에 사용하는 부품, 특히 석영유리를 사용한 부품에서는, 부품에 부착한 부착막이 탈락함에 따른 장치내의 파티클 오염의 문제, 그 부품과 다른 부품의 접합성 불량에 의한 기밀성 저하의 문제, 및 부품의 차열성 불량에 의한 열효율 저하의 문제가 있었다. 기재 위의 석영유리 용사막을 형성한 부품에서는, 부착막의 유지성이 높아져, 다른 부품과의 접합면의 기밀성을 높일 수 있으며, 나아가 흑색석영유리를 피막원료로서 사용함으로서 부품의 차열성을 높일 수 있다. 이들 부품은, 산으로 세척하여도 상기의 성능저하가 없어, 장기간 사용할 수 있으며 긴 수명을 유지한다. 

  복합 재료로 이루어진 부품의 산화에 대항한 보호
등록번호|10-0912315-0000     출원번호|10-2004-7015988 특허권자|에스엔에쎄엠아 프로폴지옹 솔리드           
발 명 자|트볼, 자크 외 3명
본 발명은 주로, TiB2로 이루어진 붕소 분말, 주로 붕규산염 혼합물로 이루어진 하나 이상의 유리질의 내열성 산화물의 분말, 및 세라믹 전구체 수지를 함유하는 결합재의 혼합물을 함유하는 조성물 보호되어야 하는 부품에 적용되는 것으로 이루어진 공정에 관한 것이다. 상기 수지는 교차연결된 다음 그것이 높은 온도에서 사용되는 경우에 부품의 처음 노출 중에 또는 열처리에 의해 세라믹으로 변환된다.   


  실리콘카아바이드 멤브레인, 그 제조방법 및 이를 이용한
  고온수소분리막
등록번호|10-0913786-0000     출원번호|10-2007-0081391특허권자|한국세라믹기술원           발 명 자|김영희 외 5명
본 발명은 실리콘카아바이드 전구체인 폴리페닐카보실란을 출발물질로 하는 실리콘카아바이드 멤브레인, 그 제조방법 및 용도에 관한 것으로서, 본 발명의 실리콘카아바이드 멤브레인은 0.5nm ~1nm정도의 기공을 가지고 있고 고온에서도 기공분포의 변화가 없이 안정하여 고온에서 수소분리막 소재로 유용하다. α-알루미나 기판과, 상기 기판위에 위치하는 실리콘카아바이드 휘스커 중간층과, 상기 중간층 위에 분자량이 6000 이하의 폴리페닐카보실란을 출발물질로 하는 실리콘카아바이드 코팅막을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘카아바이드 멤브레인.

  폴리카보실란 튜브의 제조방법, 기공율이 제어된 탄화규소계
  튜브의 제조방법 및 그 탄화규소계 튜브
등록번호|10-0915969-0000     출원번호|10-2007-0045428특허권자|한국세라믹기술원           발 명 자|류도형 외 6명
본 발명은 벽면의 기공의 크기와 기공율이 제어된 고성능의 탄화규소질 마이크로 튜브를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 폴리카보실란을 섬유상으로 압출하는 단계 상기 섬유상 폴리카보실란 중심부에 비경화 영역을 형성하도록 산화분위기에서 열처리하여 상기 폴리카보실란의 표면으로부터 경화하는 단계 및 상기 섬유상 폴리카보실란의 비경화 중심부를 극성 용매로 용해하여 중공을 형성하는 단계를 포함하는 폴리카보실란 튜브 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 손쉽게 탄화규소질 마이크로 튜브를 제조할 수 있으며 튜브의 벽면의 다공성이 제어된 튜브를 제조할 수 있고 이러한 다공성 탄화규소 마이크로 튜브는 수소기체분리용 멤브레인 (membrane) 및 멤브레인 서포터로서 사용될 수 있다.

  복수의 반도체 웨이퍼의 동시 양면 연삭 방법과 현저한평탄성을
  갖는 반도체 웨이퍼
등록번호|10-0914540-0000     출원번호|10-2007-0070567특허권자|페터 볼터스 게엠베하 외 1명           
명 자|피치 게오르그 외 1명
본 발명은 복수의 반도체 웨이퍼를 동시에 양면 연삭하는 방법에 관한 것으로, 각각의 반도체 웨이퍼가 롤링 장치에 의해 회전하도록 된 복수 개의 캐리어 중 하나의 캐리어의 컷아웃에서 자유로이 이동 가능하며 사이클로이드 궤적으로 이동되게 놓이며, 반도체 웨이퍼가 2개의 회전하는 가공 디스크들 사이에서 재료를 제거하는 방식으로 가공되며, 각각의 가공 디스크는 접합된 연마제를 함유하는 가공층을 포함한다. 본 발명에 따른 방법은 특정 운동학적 수단에 의해 본 발명의 대상과 같은 극히 평탄한 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있게 한다. 각각의 반도체 웨이퍼를 롤링 장치에 의해 회전하도록 된 복수 개의 캐리어들 중 하나의 캐리어의 컷아웃(cutout) 내에서 자유로이 이동 가능하도록 배치하여 사이클로이드 궤적으로 이동시키고, 접합 연마제를 함유하는 가공층을 각각 포함하는 2개의 회전하는 가공 디스크들 사이에서 재료를 제거하는 방식으로 반도체 웨이퍼를 가공하며, 가공 갭(gap)에서 지배적인 온도를 가공중에 일정하게 유지하는 것인 복수의 반도체 웨이퍼를 동시에 양면 연삭하는 방법.

  다중 전압용 분리형 박막 커패시터
등록번호|10-0911784-0000     출원번호|10-2007-7007273 특허권자|인텔 코오퍼레이션             발 명 자|팔란두즈, 센기즈 외 1명
집적 회로들과 같은 전기 디바이스들에 다수의 전원 및 기준 전원 전압 레벨들을 제공하기 위한 분리형 박막 커패시터를 형성하는 장치 및 방법은, 공간 제약형 응용들, 전력 소모자와 전원 간의 매우 가까운 전기적 접속들을 필요로 하는 응용들에 유용할 수 있다. 공간 제약형 응용 및 가깝게 커플링된 응용 양쪽의 예는 마이크로프로세서와 같은 집적 회로(IC)일 수 있다. 마이크로프로세서에 전력을 공급하고 조절하는 커패시터는 고속 클럭 레이트의 마이크로프로세서들에서 볼 수 있는 순간적인 전력 요구에 응답하기 위해 가깝게 커플링될 필요가 있고, 마이크로프로세서 패키지 내부의 공간이 매우 제한된다. 마이크로프로세서는, 마이크로프로세서의 빠른 코어 로직부들에서의 최소 크기를 갖는 고속 트랜지스터에 대해 보다 낮은 전압의 전원 레벨을 사용하고, 마이크로프로세서의 캐시 메모리 및 I/O 트랜지스터 부분들에 대해서는 보다 정상적인 전압의 전원 전압 레벨을 사용할 수 있다. 따라서, 고주파 IC에 필요한 전력을 제공하는데, 다중 전원 및 기준 전원 레벨들을 갖는 소형 커패시터가 필요할 수 있다.
  알루미나 코팅체의 제조 방법
록번호|10-0912253-0000     출원번호|10-2008-0126049 특허권자|한국과학기술연구원        발 명 자|김상우 외 1명
본 발명은 나노입자 크기를 가진 다상의 알루미나로 세라믹 내지 금속의 기지 표면 위에 코팅층을 형성하기 위해서, 알루미늄염과 탄산수소암모늄을 이용하여 다양한 형태의 암모늄 알루미늄 탄산염 전구체를 만들고, 이 전구체를 분말상 혹은 필름상의 다양한 기지 표면 위에 합성 반응을 통하여 균일하게 코팅한 후 열처리함으로써 다양한 형태의 전이 알루미나 코팅체를 제조하는 방법을 제공한다.

  웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척
등록번호|10-0912003-0000     출원번호|10-2003-0000517특허권자|주식회사 코미코             발 명 자|안호갑 외 1명
본 발명은 반도체 제조 장치 중 전공정 장비인 에쳐(etcher), 씨브이디(CVD) 장비에 사용되는 정전척에 관한 것으로, 구체적으로는 할로겐 가스를 많이 사용하는 에칭이나 CVD(Chemical vapor deposition) 공정에 의한 반응 생성물의 발생 또는 플라즈마에 의한 정전척 주변 부분의 식각 발생을 방지하도록 구성된 정전척에 관한 것이다.

 

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