주요 등록특허 공개내용           (2009년 1월 1일~1월 31일)

  적층 세라믹 캐패시터 적층장치 및 이를 이용한 박리 방법 
등록번호｜10-2010-0008507      출원번호｜10-2008-0069026특허권자｜삼성전기주식회사           발 명 자｜신동주 외 2명
본 발명은 적층 세라믹 캐패시터 적층장치 및 이를 이용한 박리 방법에 관한 것으로, 다수개의 진공홀을 구비하고, 전자성체가 부착된 플레이트; 및 상기 플레이트 하면에 부착된 썬맵을 포함하는 적층 세라믹 캐패시터 적층장치 및 이를 이용한 박리 방법을 제공한다.      

  저 정전용량을 갖는 이에스디 보호소자 
등록번호｜10-2010-0010020    출원번호｜10-2009-0055573
특허권자｜조인셋 주식회사          발 명 자｜최광휘 외 2명
저 정전용량을 갖는 ESD 보호소자가 개시된다. 상기 ESD 보호소자는, 절연세라믹베이스 상기 절연세라믹베이스 위에 형성되는 절연세라믹커버 양단이 외부로 노출되고, 상기 절연세라믹커버의 내부에 또는 상기 절연세라믹베이스와 상기 절연세라믹커버의 접합 면에 수평으로 연장하는 내부전극 및 상기 내부전극의 양단과 전기적으로 결합하는 외부전극을 포함하며, 상기 내부전극의 일정 부분을 전기적으로 분리하여 외부에서 상기 외부전극을 통해 유입되는 ESD를 방전하는 공간을 제공하기 위한 에어 갭이 형성된다. ESD, 에어 갭, 방전, 감쇄, 보호, 정전용량, 내부전극, 정전, 그린시트      

  세라믹이 코팅된 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 
등록번호｜10-2010-0000451     출원번호｜10-2008-0059962특허권자｜주식회사 아스플로         발 명 자｜김남훈 외 3명
본 발명은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 기재와, 상기 기재의 표면 상에 형성되고 표면에 다수의 기공이 형성되어 있으며 10nm∼50㎛의 두께를 갖는 산화알루미늄 중간층과, 상기 산화알루미늄 중간층 상에 형성되고 내열충격성, 내부식성 및 내플라즈마 특성을 갖는 세라믹 코팅층을 포함하는 세라믹이 코팅된 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 부식성 가스가 존재하고 있는 플라즈마 공정에서도 내부식성이 뛰어날 뿐만 아니라 열충격에 강하여 크랙(crack) 발생을 최소화할 수 있으므로 반도체 장비의 수명을 증가시키며, 장비의 보수로 인한 시간과 비용을 절감할 수 있어 경제성 있는 반도체 제조용 부품으로 활용할 수가 있다.
반도체 제조용 부품, 세라믹 소재, 플라즈마, 식각 저항, 성막, 아크 플라즈마 아노다이징(Arc Plasma Anodizing), 양극 알루미늄 산화(Anodic Aluminum Oxide)
  세정용 세라믹 볼의 제조방법 및 그 제품
등록번호｜10-2010-0009223      출원번호｜10-2008-0070012특허권자｜(주)엠비오라                발 명 자｜박여표
본 발명은 세정용 세라믹 볼의 제조방법 및 그 제품에 관한 것으로서, 구체적으로는 세라믹 원료, 분산제, 가소제, 결합재를 혼합 및 1차 분쇄하는 단계 상기 혼합물을 1차 건조하는 단계 상기 건조된 혼합물을 2차 분쇄하는 단계 상기 분쇄된 혼합물을 일정한 크기의 볼 형태로 성형하는 단계 상기 볼 형태로 형성된 성형물을 2차 건조시키는 단계 상기 건조된 성형물을 소성하는 단계 및 상기 소성된 성형물을 연마하여 표면 처리하는 단계로 세정용 세라믹 볼을 제조함에 따라, 원적외선의 방출 및 항균 성능의 향상을 통해 세정 능력이 크게 증대되어 각종 세척이나 세탁시 이물질이나 오염물질의 제거가 더욱 효과적으로 이루어질 수 있도록 한 세정용 세라믹 볼을 제공하게 된다. 

  플럭스 코어드 와이어
등록번호｜10-2010-0006124     출원번호｜10-2009-0061405특허권자｜가부시키가이샤 고베 세이코쇼       
발 명 자｜시마모또 마사끼
본 발명의 과제는 우수한 내고온 균열성을 갖는 플럭스 코어드 와이어를 제공하는 것이다. 플럭스 코어드 와이어는 와이어 전체 질량에 대한 플럭스 충전율이 10 내지 20 질량％이고, 와이어 전체 질량에 대해, C : 0.03 내지 0.08 질량％, Si(와이어에 함유되는 전체 Si원으로부터 산출되는 Si량의 총합) : 0.10 내지 1.00 질량％, Mn(와이어에 함유되는 전체 Mn원으로부터 산출되는 Mn량의 총합) : 2.30 내지 3.75 질량％, Ti : 0.15 내지 1.00 질량％, TiO2 : 5.0 내지 8.0 질량％, Al : 0.05 내지 0.50 질량％, Al2O3 : 0.05 내지 0.50 질량％를 함유하고, 잔량부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 또한 상기 Ti로부터만 산출되는 Ti량을 Ti 산출량, 상기 와이어에 함유되는 전체 Si원으로부터 산출되는 Si량의 총합을 Si 산출량으로 했을 때, (Ti 산출량/Si 산출량) ＞ 0.20의 관계를 만족시킨다.
플럭스 코어드 와이어, 강제 외피, 알루미늄 테이프, 플럭스, 용접 모재
  점토벽돌의 제조방법
등록번호｜10-2010-0004698     출원번호｜10-2008-0065012특허권자｜(주)빛과환경                발 명 자｜김종호 외 8명
본 발명은 점토 벽돌의 제조방법에 관한 것으로서, 오폐수의 수처리 과정에서 발생하는 부산물로부터 회수된 티타늄 산화물을 이용함으로써 자원을 재활용과 함께 제조단가를 낮출 수 있는 유색 발색 및 물성이 증대된 점토 벽돌의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 오폐수 중의 유기화합물을 제거하기 위해 투입되는 응집제에 의해 생성된 응집체을 소결하여 산화티타늄 소결분말을 회수하는 회수단계와, 소결분말에 점토 및 물을 혼합한 후 성형체로 성형하는 성형단계와, 성형체를 건조시킨 후 소성하는 소성단계를 포함한다.본 발명에 의하면 산화티타늄을 응집제로 사용한 티타늄화합물로부터 회수하여 이용함으로써 이차적 환경오염을 방지하고 자원을 재활용할 수 있으며, 물성의 증대와 함께 기존의 벽돌이 가지지 못했던 유색을 발색시킬 수 있다.
벽돌, 점토벽돌, 산화티탄, 발색   

  강유전체 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의제조 방법
등록번호｜10-2010-0009013     출원번호｜10-2008-0069681특허권자｜삼성전자주식회사           발 명 자｜최석헌 외 3명
향상된 특성을 갖는 강유전체 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 PZT를 증착하여 예비 강유전체막을 형성한 후, 예비 강유전체막의 표면을 아크릴산계 고분자, 연마입자 및 물을 포함하는 슬러리 조성물을 사용하여 화학 기계적으로 연마하여 기판 상에 강유전체 박막을 형성한다. 예비 강유전체막의 연마 속도를 감소시켜 벌크 부분의 연마를 억제하고 표면 거칠기를 개선함으로써, 강유전체 박막을 포함하는 메모리 장치의 전기적 특성 및 내구성을 향상시킬 수 있다.

  산화물 발광체
등록번호｜10-2010-0009556     출원번호｜10-2009-7022272특허권자｜다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤          
발 명 자｜쿠리수, 히로후미 외 2명
전자선 또는 자외선에 의하여 여기되어 자외선 영역 200~300 nm에서 고레벨(level)의 발광을 행하는 산화물 발광체를 제공한다. 이종 금속 원소 또는 반금속 원소를 포함하는 주기표 제 2A족 원소의 산화물로 이루어진다. 전자선 또는 자외선에 의한 여기에 근거하여 자외선 영역 200~300 nm에서 발광 피크를 갖는 발광체．바람직하게는 상기 주기표 제 2A족 원소에 대하여 상기 이종 금속 원소 또는 반금속 원소의 비율은 0.0001∼1 몰％이고，주기표 제 2A족 원소는 Mg이고，이종 금속 원소는 Al이다．

  내부에 질화물층을 가지는 전극간 유전체를 포함하는 보호
  게이트 트렌치 전계효과 트렌지스터를 형성하기 위한 구조 및 방법
등록번호｜10-2010-0002195     출원번호｜10-2009-0057034특허권자｜10-2009-0057034   발 명 자｜10-2010-0002195
보호 게이트 전계효과 트랜지스터(FET)는 반도체 영역 내로 연장된 복수의 트렌치들을 포함한다. 보호 전극은 상기 트렌치들 각각의 바닥 부분 내에 위치하고, 게이트 전극은 상기 트렌치들 각각 내에서 상기 보호 전극 상에 위치한다. 전극간 유전체는 상기 보호 전극과 상기 게이트 전극 사이에서 연장된다. 상기 전극간 유전체는 제1 산화물층과 상기 제1 산화물층 상의 질화물층을 포함한다.
전계효과 트렌지스터, 보호 게이트, 전극간 유전체, 질화물층

  투명 전도성 박막 및 이의 제조 방법
등록번호｜10-2010-0000559     출원번호｜10-2008-0060106특허권자｜한국과학기술원 /주성엔지니어링(주)          
발 명 자｜박재우 외 3명
본 발명은 투명 전도성 박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 금속층 및 상기 금속층과 교번으로 적층된 적어도 하나의 금속 산화물층을 포함하는 투명 전도성 박막 그리고, 이의 제조 방법이 제공된다. 이와 같이 교번으로 적층된 금속층과 금속 산화물층을 형성하되, 원자층 증착법으로 금속층을 성막하고, 화학 증착법으로 금속 산화물층을 형성하여 광 투과율이 높고 비 저항이 낮은 투명 전도성 박막을 형성할 수 있다.
투명 전도성 산화물, ALD, CVD, 적층 구조

산화물 반도체 박막 조성물, 이를 채용한 전계 효과트랜지스터 및
  그 제조방법
등록번호｜10-2010-0006519     출원번호｜10-2008-0071163특허권자｜한국전자통신연구원        발 명 자｜조두희 외 13명
본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물, 인듐 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함한다. 상기 산화물은 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하다.
산화물, 비정질, 저온 공정, 전계효과, 트랜지스터

광촉매-코팅체 및 이를 위한 광촉매 코팅액
등록번호｜10-2010-0009554     출원번호｜10-2009-7022138특허권자｜토토 가부시키가이샤      
발 명 자｜키타자키, 사토루 외 7명
기재 (특히, 유기 기재)의 침식을 방지하면서, 내후성, 유해 가스 분해성 및 다양한 코팅 특성 (자외선 흡수성, 투명성, 막강도성)이 뛰어난 광촉매-코팅체 및 이를 위한 광촉매 코팅액이 개시된다. 광촉매-코팅체는 기재 및 기재상에 제공된 광촉매층을 포함한다. 광촉매층은 광촉매 입자, 무기 산화물 입자 및 가수분해성 실리콘의 총량이 100 질량부가 되도록 1 질량부 이상 20 질량부 미만의 광촉매 입자; 70 질량부 이상 99 질량부 미만의 무기 산화물 입자; 0 질량부 이상 10 질량부 미만의 가수분해성 실리콘을 포함한다.
광촉매 코팅체, 코팅액, 흡수성, 투명성, 막강도성, 무기 산화물, 실리콘