세라믹스 관련 주요 특허출원 공개목록
◈ 내국인 2009년 2월 1일~2월 28일
번 호 명 칭 출 원 인
10-2008-0074634 원심 성형을 이용한 성형 장치 및 방법
(apparatus and method using centrifugal molding) 한국표준과학연구원
10-2008-0072864 내 플라즈마 세라믹 코팅막 형성방법 (Method Of Forming Ceramic Coating Layer having the Resistant Plasma) 주식회사 코미코
10-2008-0072395 표면조도가 향상된 세라믹 칩 부품 및 그 제조방법 (Ceramic Chip Component Improved Surface Roughness and Method for making the same) 조인셋 주식회사
10-2008-0078185 상압 플라즈마 장치(Atmospheric Plasma Apparatus) 한국생산기술연구원
10-2008-0076795 피막을 붙인 다공성세라믹(omitted) 김용원
10-2008-0073731 전자디바이스용 고유전율 복합유전체 (Dielectric substance having high permittivity for electronic device) 한국세라믹기술원
10-2008-0072656 전기분해를 이용한 나노세라믹 코팅방법 및 이를 이용한 휴대용 단말 (Portable Terminal using the Nano-ceramic Coating) 김영수
10-2008-0073341 평판 패널 디스플레이 봉착용 인산계 유리 조성물 (Phosphate Based Glass Composition for Flat Panel Display Sealing) 공주대학교 산학협력단
10-2008-0072105 원적외선 방사 세라믹 코팅 히트파이프 (CERAMIC COATED HEAT PIPE FOR FAR INFRARED RAY RADIATION) 박수만
10-2008-0072891 전기방사용 방사팩 및 이를 이용하는 전기방사 장치 (Spinning Pack for Electrospinning and Electrospinning Device using the same) 주식회사 효성
10-2008-0075063 양극 활물질과 이를 포함하는 리튬 이차전지, 양극활물질의 제조방법과 이를 포함하는
리튬 이차전지의제조방법 (Cathode active material and Preparation method,
Lithium secondary battery and Preparation method) 한국세라믹기술원
10-2008-0077865 내부 공간이 다면체 또는 구형의 재료로 충진된 트러스 형태의 주기적인 다공질 재료와 그 제조 방법 (TRUSS TYPE PERIODIC CELLULAR MATERIALS HAVING POLYHEDRONS OR SPHERES IN THEIR INTERNAL VACANCIES AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME) 전남대학교산학협력단
10-2008-0080246 연삭휠용 비정질 결합재, 그 제조방법 및 상기 연삭휠용 비정질 결합재를 이용한 연삭휠 (vitrified binder for grinding wheel, manufacturing method thereof and grinding wheel using the vitrified binder) 한국세라믹기술원
◈ 외국인 2009년 2월 1일~2월 28일
번 호 명 칭 출 원 인
10-2009-7026700 내화성 세라믹과 금속의 결합방법 및 그 응용
(Method for Bonding Refractory Ceramic and Metal Related Application) 코닝 인코포레이티드
10-2009-7024088 압전 세라믹 조성물 및 압전 장치
(PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PIEZOELECTRIC DEVICE) 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤
10-2009-7026295 열적-기계적으로 견고한 고체 금속 산화물 연료 전지 장치
(Thermo-Mechanical Robust Solid Oxide Fuel Cell Device Assembly) 코닝 인코포레이티드
20-2008-0010963 다공성 세라믹 히트 싱크를 구비하는 집적 회로 소자 (INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING POROUS CERAMIC HEAT SINK) 린, 이 민
10-2009-0070524 세라믹 압출 성형체용 조성물 및 세라믹 압출 성형체의 제조 방법 (Composition for Ceramic Extrusion-Molded Body and Method for Manufacturing a Ceramic Extrusion-Molded Body) 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
10-2009-7026282 그라파이트 필름 및 그라파이트 복합 필름(GRAPHITE FILM AND GRAPHITE COMPOSITE FILM) 가부시키가이샤 가네카
10-2009-0074906 탄화수소 유체에 대한 내성을 갖는 아민-경화 실리콘 조성물 및 이의 용도 (Amine-cured silicone compositions resistant to hydrocarbon fluid and uses thereof) 테믹 오토모티브 오브 노스 어메리카, 인크.
10-2009-7025099 화합물계 박막 및 그 형성 방법, 그리고 그 박막을 이용한 전자 장치 (COMPOUND TYPE THIN FILM, METHOD FOR COMPOUND-TYPE THIN FILM
FORMATION, AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE THIN FILM) 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠
10-2009-7024157 촉매적 용도를 위한 텍스처링된 입자 필터 (TEXTURED PARTICLE FILTER FOR CATALYTIC USE) 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔
10-2009-7021587 세라믹 본체에 기초한 구조 부품 (STRUCTUAL COMPONENT BASED ON A CERAMIC BODY) 리프랙토리 인터렉추얼 프라퍼티 게엠베하 운트 코. 카게
주요 등록특허 공개내용 (2009년 2월 1일~2월 28일)
저열팽창 복합재료 및 그의 제조방법
등록번호|10-0945270-0000 출원번호|10-2007-0132410특허권자|한국생산기술연구원 발 명 자|신승용 외 2명
본 발명은 활성 브레이징 용가재를 이용하여 세라믹 접합면에 메탈라이징 처리 등의 전처리 공정 없이 세라믹과 금속을 직접 브레이징하여 접합함에 있어, 접합하고자하는 세라믹모재의 낮은 열팽창계수와 근접한 저열팽창기능을 갖는 새로운 활성 브레이징용 용가재를 제공한다. 또한 이를 통해 세라믹과 금속간 접합계면부에서 세라믹과 금속 간 열팽창계수의 상이로 인하여 발생, 집중되는 열응력을 분산시키고 최소화시킴으로서 열응력에 의한 크랙이 없는 건전한 세라믹/금속 접합체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
활성 용가재, 저열팽창 입자, 열팽창계수, 저열팽창 복합재, 브레이징
생분해성 3중 기공 세라믹-고분자 지지체 및 이의 제조방법
등록번호|10-0941374-0000 출원번호|10-2007-0124786특허권자|한국기계연구원 발 명 자|윤희숙 외 2명본 발명은 생분해성 3중 기공 세라믹-고분자 지지체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칼슘 및 인이 규소 중에 균일하게 분산되어 있는 생분해성 세라믹 분말이 균일하게 분포되어 있는 생분해성 고분자에, 100 내지 1000㎛ 범위의 자이언트사이즈 기공, 1 내지 100㎛ 범위의 마크로사이즈 기공 및 1 내지 100nm 범위의 나노사이즈 기공이 3차원적으로 상호 연결된 열린 기공이 형성되어 있는 생분해성 3중 기공 세라믹-고분자 지지체와 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 적층조형법과 고분자 템플레이트법의 조합으로 제조되는 2중 기공을 가지는 세라믹-고분자 지지체에 입자침출법을 새로이 도입하여 마크로 크기의 기공을 부가적으로 생성시킴으로써, 지지체가 자이언트, 마크로 및 나노크기의 기공을 모두 포함하도록하여 효율적인 세포 증식 및 분화, 세포괴사 방지, 선택적 약물 방출기능 등을 유지하면서 기계적인 강도를 보완하였으며, 이러한 특성은 세포의 접착, 분열, 증식, 이동 및 분화에 유리한 조건을 제공함으로써 골충진재, 수복재, 지지체 이외에 여러 가지 분야에서 유용하게 사용할 수 있다.
세라믹-고분자, 입자침출법, 3중 기공, 생분해성, 지지체
고온 환경에서 사용하기 위한 열적 안정 상태의 세라믹매체
등록번호|10-0945665-0000 출원번호|10-2008-7019187특허권자|생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드
발 명 자|레이드, 존, 스튜어트
본 발명은 최대 노출 온도 보다 낮은 온도에서 소결된 세라믹 매체를 사용하는 화학 처리 장치에 관한 것이다. 매체의 물리적 및 화학적 특성은 50℃이상 매체의 소결 온도를 초과하는 온도에 노출될 때, 열적 안정 상태에 기여할 수 있다. 세라믹 매체, 화학 처리 장치, 소결 온도, 열적 안정 상태, 소각로
자외선 투과성 다면체형 실세스퀴옥산 폴리머
등록번호|10-0944740-0000 출원번호|10-2007-7015459특허권자|파나소닉 전공 주식회사 발 명 자|다카무라 노리히로 외 3명
실세스퀴옥산 케이지를 함유하는 무기/유기 혼성 폴리머는 견고하며, 적외선 및 자외선 파장에서 강도, 경도 및 광학적 투명도와 같은 바람직한 물리적 성질을 나타낸다. 상기 폴리머는 스페이서 부분에 의해 케이지 실리콘 원자에 결합된 2개의 상보적 반응성 작용기를 가진 다면체형 실세스퀴옥산과 같은 작용돠된 다면체형 실세스퀴옥산 모노머를 중합함으로써 제조된다. 스페이서 부분은 입체적 이동도를 가능하게 하고, 케이지 실리콘 원자에 직접 결합된 반응성 작용기를 가진 다면체형 실세스퀴옥산에 비해 보다 완전한 경화를 가능하게 한다.
다면체형 실세스퀴옥산, 케이지, 유기-무기 혼성 폴리머, 투명도, 촉매 활성제거제,
납성분을 포함하지 않는 PTC 써미스터용 세라믹 조성물 및
이에 의해 제조되는 PTC 세라믹 써미스터
등록번호|10-0941522-0000 출원번호|10-2008-0005313특허권자|한국세라믹기술원 /(주)하이엘
발 명 자|백종후 외 4명
납(Pb) 성분을 함유하지 않으면서도 상온에서 낮은 비저항값과 130℃ 이상의 큐리온도(Tc)를 가질 수 있는 PTC 써미스터용 세라믹 조성물이 제공된다. 본 발명에 따른 PTC 써미스터용 세라믹 조성물은 하기 화학식 1 및 화학식 2 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
003c#화학식 1003e# Ba1-x(Bi0.5Na0.5)xTiO3 + ymol% M12Ow + z wt% M2O2
003c#화학식 2003e# Ba1-x(Bi0.5K0.5)xTiO3 + ymol% M1Ow + zwt% M2O2
(상기 화학식 1 및 화학식 2중에서 0.01≤x≤0.05, 0.00<y≤0.40, 0.00<z≤0.40이고, M1은 Nb, Sb, La, Y로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원소이고, M2는 Mn이며, w는 M1이 3가의 원소일 경우엔 3, 5가의 원소일 경우엔 5이다.)
PTC, thermistor, 세라믹, BaTiO3, Pb
비점착성 코팅 조성물,그 코팅방법, 그로 코팅된 패널 및
가열조리기기
등록번호|10-0941954-0000 출원번호|10-2007-0061697특허권자|대한화인세라믹 주식회사 발 명 자|박형준본 발명은 비점착성 코팅 조성물과 그 코팅방법, 그리고 그로 코팅된 건축용 패널 및 가열조리기기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 건축용 패널이나 가열조리기기 등의 소재인 금속이나 비금속의 표면에 비점착성 코팅층을 형성하여 비점착성, 내열성, 내후성, 미장성, 내상처성, 내용제성, 내변질성, 내변색성, 불연성, 인체 무해성 등의 효과를 갖도록 할 수 있는 비점착성 코팅 조성물과 그 코팅방법, 그리고 그로 코팅된 건축용 패널 및 가열 조리기기에 관한 것이다.
본 발명에 따른 비점착성 코팅 조성물은 공지의 무기결합제 14.4~99.8중량%, 공지의 충전재 0.01~85.5중량% 및 메틸하이드로겐 실리콘오일(메틸하이드록시 실리콘오일) 0.1~3.0중량%를 포함하는 것을 기본적인 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 비점착성 코팅 조성물의 코팅방법은, 패널이나 가열조리기기 소재의 표면을 공지의 방법으로 표면처리하여 공지의 표면처리층을 형성하는 소재의 표면처리 단계 상기 표면처리층을 공지된 방법으로 건조하고 예열을 하는 건조 및 예열단계 상기 표면처리층 표면에 비점착성 코팅 조성물로 코팅하는 비점착코팅층 형성단계 및 공지된 방법에 따라 상기 코팅된 비점착코팅층의 용제를 휘발시키고 코팅층을 경화시키는 건조 및 경화 단계;로 이루어진 것을 기본적인 특징으로 한다.
그리고 본 발명에 따른 비점착성 코팅층을 갖는 패널 및 가열조리기기는, 건축용 패널 및 가열조리기기의 본체를 이루는 공지의 소재층과, 상기 소재층의 공지의 표면처리방법에 의해 형성되는 공지의 표면처리층과, 상기 표면처리층 위에 비점착성 코팅 조성물이 도포, 경화되어 형성되는 비점착코팅층을 포함하는 것을 기본적인 특징으로 한다.
플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 비정질 구조체 및 그 제조방법
등록번호|10-0944751-0000 출원번호|10-2008-0017663특허권자|한국세라믹기술원 발 명 자|김형준 외 3명
본 발명은, 평균 굴절율이 1.47 보다 작거나 같은 석영유리 및 평균 굴절율이 1.6 보다 작거나 같고 상기 석영유리의 입자들 사이에 분포되어 석영유리의 입자들을 결합시키는 비정질 결합재를 함유하며, 평균 굴절율이 1.5 보다 작고 비정질로 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 비정질 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 평균 굴절율이 1.5 보다 작은 비정질로 이루어진 플라즈마 디스플레이 격벽용 비정질 구조체를 얻을 수 있고, 본 발명의 비정질 구조체로 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성시에 밀도는 2.5 이하이고 경도는 2GPa 이하인 소프트(soft)한 격벽을 형성할 수가 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, 감광성 격벽, 석영유리 분말, 유리 분말, 비정질 결합재, 굴절율
나노수산화아파타이트가 표면고정화된
유/무기 하이브리드지지체 및 이의 제조방법
등록번호|10-0941730-0000 출원번호|10-2007-0118713특허권자|한국세라믹기술원 발 명 자|이상천 외 6명
본 발명은 나노수산화아파타이트가 표면고정화된 유/무기 하이브리드 지지체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유/무기 하이브리드 지지체는 포스포닉산(phosphonic acid) 작용기를 갖는 폴리(에틸렌글리콜 메타아크릴레이트 포스페이트)[poly(ethylene glycol methacrylate phosphate); PolyEGMP] 또는 카복실산(carboxylic acid) 작용기를 갖는 고분자가 표면에 그라프팅된 나노수산화아파타이트의 표면 산성기와 고분자 지지체 표면의 일차 아민을 EDC(1-ethyl-3-dimethylaminopropyl carbodiimide) 존재 하에 반응시켜 나노수산화아파타이트가 고분자 지지체 표면에 고정화된 것을 특징으로 한다.
실리콘 산화막의 제조방법, 그의 제어 프로그램, 기억 매체 및
플라즈마 처리장치
등록번호|10-0945322-0000 출원번호|10-2007-7021725특허권자|도쿄엘렉트론가부시키가이샤
발 명 자|기타가와 준이치
플라즈마 처리장치의 처리실내에서, 산소의 비율을 1% 이상 포함하는 처리가스를 이용하여, 133.3Pa 이하의 처리압력으로 플라즈마 형성하고, 상기 플라즈마에 의해, 피처리체의 실리콘층에 형성된 오목부에 노출되어 있는 실리콘 표면을 산화하여 실리콘 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 산화막의 형성방법이 개시되어 있다.
비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법
등록번호|10-0943977-0000 출원번호|10-2008-0007372특허권자|한국과학기술원 발 명 자|김봉수 외 1명
본 발명은 비스무트(Bi) 분말을 이용한 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 비스무트 분말과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 비스무트 단결정 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
비스무트, 나노선, 기상이송법, 기상합성법
실리콘 질화물 화학 기상 증착용 방법
등록번호|10-0943113-0000 출원번호|10-2007-7031043특허권자|어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
발 명 자|이어, 알. 수르얀아라야난
본 발명의 실시예는 일반적으로 기판 상에 실리콘 질화물 함유 층을 증착하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 프로세싱 챔버 내에 배치되는 기판을 650℃ 미만의 온도로 가열하는 단계 아미노디실란 화합물, 시릴아자이드 화합물, 시릴하이드라진 화합물, 알킬실라잔 화합물, 이의 유도체 및 이의 조합물로 이루어진 기로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 실리콘 함유 가스를 상기 프로세싱 챔버 내측으로 유동시키는 단계 질소 함유 가스를 상기 프로세싱 챔버 내측으로 유동시키는 단계 및 실리콘 질화물 함유 층을 기판상에 증착시키는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 실리콘 함유 가스는 아미노디실란 화합물, 시릴아자이드 화합물, 시릴하이드라진 화합물 또는 알킬시라잔 화합물 중 어느 하나 이상을 포함한다. 일 실시예에서, 상기 아미노디실란 화합물의 화학식은 R2NSiR’2SIR’2NR2이며, 시릴아자이드 화합물의 화학식은 R3SiN3이며, 시릴하이드라진의 화학식은 R’3SiNRNR2이며, 여기서 R 및 R’은 수소, 할로겐, 알킬, 알켄, 알킨, 지방성 알킬, 환형 알킬, 방향족, 오가노실란, 알킬아미노로, 또는 질소 또는 실리콘을 독립적으로 포함한다.
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