카본나노튜브를 LSI 배선용으로 사용하는 기술 개발 富士通연구소는 카본나노튜브를 LSI의 배선에 사용하는 기술을 개발했다. 전압을 가해 나노튜브가 늘어나는 방향을 제어하여, 트랜지스터 등의 접속에 응용할 수 있다는 전망을 확실히 했다. 구리를 사용한 현재 배선에 비해 저항이 적고 단선도 적어질 것으로 보여, LSI의 성능향상으로 이어진다. 5~10년 후의 응용을 목적으로 하고 있다. 나노튜브의 원료가 되는 메탄과 수소의 혼합가스를 트랜지스터 전극 위에 흘려넣고 플라즈마를 대어 나노튜브를 합성한다. 탄소분자가 몇 겹이나 겹쳐진 다중 나노튜브가 전극표면에 생긴다. 굵기는 50~100㎚. 전극의 수직방향으로 전압을 가하고, 그 바로 위에 0.5㎛의 길이로 튜브를 펼치는데 성공했다. 전극에 섞는 니켈이나 코발트의 농도를 조절하자 굵기 50㎚의 나노튜브가 제대로 성장했다고 한다. 또한 LSI의 배선을 통과하는 직경 2㎛의 세로 구멍의 바닥을 촉매가 되는 니켈 박막으로 감싸고 몇 줄이나 되는 나노튜브를 펼쳐서 세로 구멍을 채웠다. 나노튜브 다발이 배선의 역할을 한다. 니켈과 코발트는 나노튜브의 합성촉매로 전극재료로서도 일반적. 신기술은 기존의 반도체 프로세스에 조합시키기 쉬워 현실적 방법으로 알려져 있다. (CJ)