富士電機는 국내에서 최초로 532나노미터 발진파장의 소형 공냉 그린레이저 마커를 개발, 발매했다. 발진파장이 532나노미터(그린광)로 실리콘 결정 등의 투과율이 극히 낮아 웨하 레벨 CSP(칩 사이즈 팩케이지)와 슬림형 메모리 카드에 마킹해도 내부의 다바이스에 손상을 입히지 않는다. 금이나 구리를 표면재질로 한 부품에 대한 선명한 마킹과 미세 가공이 가능하다. 종래기인 레이저 마커 시리즈와 함께 연간 400대, 국네 점유율 35%의 획득을 목표로 하고 있다. 신형 레이저 마커 ‘나노라이텐 에스에이치지’는 1064나노미터(기본파)에서 532나노(제2고주파)로 파장을 전환하는 파장변환결정에 안정성과 장수명을 고려한 결정을 채용했다. 이 결정을 레이저 공진 내부에 배치한 내부 SHG(제2고주파)방식으로 결정에 손상을 주지 않으며 동시에 고출력 제2고주파의 발진에 성공했다. 완전공냉방식이기 때문에 냉각장치 등이 불필요하여 종래의 이트륨·알루미늄·가네트(YAG)레이저 마커와 비교해 3분의 1의 소형화, 2분의 1의 경량화, 유지비의 60% 절감을 실현. 출력은 5와트이고 가격은 약 900만엔. 열영향이 적은 레이저광이기 때문에 수지제품에 고품질 마킹을 할 수 있다. 휴대전화, 휴대정보단말(PDA), 가정용 비디오카메라 등에 내장되는 반도체 . 전자부품은 최근, 소형화 . 슬림화가 한층 더 요구되고 있다. 이것을 실현한 웨하레벨 CSP, 슬림형 메모리 카드 등에 종래의 레이저 마커로 마킹하면 레이저광의 일부가 외장을 투과하여 내부 디바이스에 손상을 미치는 문제가 있었다. (NK)