공군 연구소의 Propulsion Directo rate’s Electrical Technology & Plasma Physics Branch는 Cree Inc.(Durham, N.C.)와 협력하여 SiC에 기초를 둔 고속 Schottky 다이오드를 개발하고 상업화 했다. 낮은 저항에서 이 다이오드는 전도 및 변환 에너지 손실을 현저하게 감소 시켜서, 증가된 전력 시스템 효율을 가지게 한다. SiC의 파손 전계강도는 Si의 경우 보다 10배 이상 더 커서 이 장비가 고전압 인버터/컨버터, 모터 구동장치와 다른 전력 구성요소에 사용될 수 있게 하였다. (ACB)