日立제작소는 갈륨, 비소계 신재료 갈륨, 인디움, 질소, 비소(통칭 게이너스)를 이용한 광통신용 반도체 레이저(LD)를 시작, 매초 10Gbit의 고속동작을 70~80℃의 고온에서 8500시간 이상, 무열화 동작하는데 성공했다. 지금까지 광통신용에는 고가의 인디움, 인계 재료가 사용되어 왔는데, 이로써 칩 원가를 1/10 이하로 저감할 수 있어, 원가 우선인 액서스계 광통신 시스템 등의 대폭적인 원가삭감으로 이어진다. 시작한 게이너스 LD는 단면발광형으로 발진파장은 1.3㎛대. 광출력은 10㎽로 고출력. 신뢰성을 높이기 위해 결정성장을 분자선 에피탁셜(MBE)로 실시하고, 질소첨가를 질소래디컬로 실시할 때의 성장온도와 원료공급비율을 최적화했다. 또 게이너스에 약간 남는 결정결함을 제거하기 위해 성장온도를 낮추고 동시에 750℃의 고온 순간 아닐을 도입하여 결정의 고품질화를 꾀했다. 게이너스는 95년에 日立이 독자개발한 기술. 고속성과 고온에서도 온도의존성이 없고, 온도조절기가 필요치 않은 등의 우수한 성질이 주목되어, 현재 세계 약 100개 기관이 개발을 진행하고 있다. 지금까지 게이너스는 면발광형 LD(VCSEL)을 중심으로 연구가 진행되어 이 회사도 97년에 VCSEL의 시작을 발표. VCSE L은 검사 원가가 싸다는 이점도 있지만 고출력화가 어려워 현재는 단거리 통신용도에서만 실현성이 있다. 따라서 이 회사는 단, 장거리 분야에 대응하고 실용성을 고려한 단면발광형을 개발. (CJ)