유리 해외기술정보
유리 위의 TiO2계 투명도전막에서 6×10-4Ωcm를 실현
‘빠르면 2011년에 인듐이 고갈된다’고 하는 보고가 2006년 5월에 NEDO로부터 공표되었다. 플랫 패널 디스플레이의 급속한 보급을 생각하면 투명도전체에 이용되고 있는 인듐의 소비량은 계속해서 늘어나고 있어 대체 재료의 개발은 촌각을 다투는 상태이다. 이러한 배경 속에서 (재)神奈川과학기술아카데미의 長谷川哲也 프로젝트 리더와 一彬太郞 비상근 연구원 등 연구팀은 Nb를 도프한 TiO2박막에서 저항률 6×10-4Ωcm, 투과율 60~80%를 나타내는 투명도전막의 제작에 성공했다.
본 연구에서는 펄스레이저 디포지션(PLD)법을 이용하여 유리(코팅 1737)위에 Ti0.94Nb0.06O2 박막을 실온에서 성막했다. 그 후, 수소분위기 하(약 1atm), 500℃에서 100분간 아닐을 실시한 결과, 저항율은 6자릿수 가깝게 감소하여 6×10-4Ω㎝이 되었다. XRD측정으로 아닐 전후에서 결정구조는 아모르파스에서 아나타제 다결정으로 변화하고 있다는 것이 밝혀졌다. 아닐 후의 시료는 온도의 저하에 따라 저항율은 약간 감소하여 금속적인 경향을 나타내고 있다. 또 캐리어 농도는 온도에 의존하지 않아 축퇴(縮退) 반도체라는 것을 알 수 있었다.
TiO2계 투명도전체는 d 전자가 전기전도에 기여하고 있어 새로운 타입의 투명도전막이다. 유리 위에서 10-4Ωcm대의 저항률을 나타냈다는 것은  TiO2계 투명도전막의 응용을 위한 커다란 진전이라고 할 수 있다. 앞으로 스팩터법에 의한 박막성장의 결과가 기대된다 (CJ)