다이아몬드 막을 나노레벨에서 평탄화 가공 기술 개발 三菱매터리얼은 지금까지보다 20배 이상 고속으로 실리콘웨하 위의 다이아몬드 막을 나노레벨에서 평탄화하는 가공기술을 개발했다. 지금까지 3 인치 사이즈의 웨하 표면에 CVD법으로 다이아몬드 막을 몇 ㎛ 코팅했을 때 70㎚이상의 표면조도가 있고, 요철 오차 약 1㎚을 달성하려면 기계연마가공으로 약 54시간이 걸렸는데, 가스 클러스터 이온빔 기술로 가공시간을 160분으로 대폭 단축했다. 이로써 1Gbit 이상의 초고집적회로용 마스크 재료로 다이아몬드의 응용전개에 박차를 가할 수 있으리라 보여진다. 가스클러스터이온빔을 사용한 프로세스 기술은 원자나 분자의 클러스터로 구성하는 이온빔을 발생시켜 가속전극으로 몇 KeV로 가속한 뒤에 조사, 고체표면의 돌기부를 가공하는 것. (CJ)