축차(逐次) 노광장치 이용, 10×10mm 대면적 노광으로 세계최초 주사노광에 의한 60나노미터 선폭패턴 전사 성공 姬路공대 EUV 축차(逐次) 광로 장치로 姬路공업대학 고도산업과학기술연구소(兵庫縣 赤穗郡 上郡町)의 木下博雄 교수 등은, 방사광시설 「뉴스바루」에 부설한 파장 13.5나노미터의 극단 자외선(EUV) 축차노광장치를 사용, 10×10 밀리미터의 대면적 노광으로 세계 최초의 주사노광에 의한 60나노미터 선폭(L&S)패턴의 전사에 성공했다. 이 기술은 07년도를 목표로 실용화 연구가 진행되고 있는 64기가비트 메모리와 10기가헬츠 고속 MPU 제작을 위한 차세대 EUV 리소그래피 장치(용어참조) 실현에 길을 연 것이다. 64기가비트 메모리 실현에 길 木下교수 등은 98년 가을부터 최첨단 저자기술개발기구(ASET)의 협력을 얻어, 현재의 굴절광학계 노광장치 대신 반사광학계를 사용한 새로운 노광장치의 개발을 진행해 왔다. 99년에 뉴스바루에 실용노광영역을 가진 실험기를 설치, 2000년 여름에는 10×5밀리미터 영역에서 선폭 100나노미터인 패턴 형성을 보고. 이번에 ASET와 세로이 공동제작한 축차노광장치의 주사정도(走査精度) 향상, 감광제 특성개선 등도 있어 보다 큰 영역, 좁은 선폭 패턴의 형성에 성공했다. 새 리조그래피 기술개발에서 선행하는 미국 팀(EUVLLC)도, 2001년 4월에 같은 정도의 큰 면적에서 100나노미터의 L&S패턴 형성을 보고했으나, 64기가비트 메모리 등의 실현에 필요하다고 하는 70나노미터 이하의 L&S 패턴 형성은 최초. 木下 교수팀의 실험에서 EUV와 반사광학계에 의한 노광장치가 선폭 70나노미터 이하의 해상도를 갖는다는 것은 명확해졌다. 그러나 앞으로의 반도체 제조 라인에 도입할 수 있는 리소그래피 장치로 만들기 위해서는 방사광과는 바른 광원이 필요. 레이저 여기 플라즈마의 광원개발을 추진하는 미국 팀에 대항하여 일본에서도 ASET를 중심으로 한 새로운 광원개발의 움직임이 활발해질 것 같다. [용어] EUV리소그래피 장치 = 현재의 굴절광학계 노광장치는 파장 200나노미터 전후의 엑시머 레이저를 광원으로 몇 장이나 되는 광학 렌즈를 통해서 회로원화를 축소, 웨하 위에 인화한다. 그러나 선폭이 100나노미터부터 그 이하의 고집적회로 실현을 위한 광원파장역에서는 렌즈 흡수가 크고 굴절율도 1에 가까워서 굴절광학계는 사용할 수 없다. 반사광학계에 의한 EUV 노광은 전자선 투영법 등과 어깨를 나란히 하는 차세대 리소그래피 기술로써 개발경쟁이 전개되고 있다. (NK)