20배 고속으로 실리콘웨하 위 다이아몬드막 나노레벨에서 평탄화하는 가공기술 개발 三菱매터리얼은 지금까지보다 20배 이상의 고속으로 실리콘웨하 위의 다이아몬드막을 나노레벨에서 평탄화하는 가공기술을 개발했다고 발표했다. 종래, 3인치 사이즈의 웨하 표면에 화학기상성장(CVD)법으로 다이아몬드막을 수 마이크로미터 코팅했을 때 70나노미터 이상의 표면 조도(粗度)가 있고, 요철 오차 약 1나노미터를 달성하려면 기계연마가공에서 약 54시간이 걸렸는데, 가스크러스터 이온빔 기술에 의해 가공시간을 160분으로 대폭 단축했다. 이로써 1기가비트 이상이 초고집적회로용 마스크재료로서, 다이아몬드의 응용전개에 박차를 가할 것으로 보인다. 가스클러스터 이온빔을 사용한 프로세스 기술은, 원자나 분자의 집합체(클러스터)로 구성되는 이온빔을 발생시켜, 가속전극에서 수 킬로 전자볼트로 가속한 뒤에 조사, 고체표면의 돌기부를 가공하는 것. (NK)