세라믹스 관련 주요 특허출원 공개목록

◈ 내국인                                                                                                                                 2007년 1월 1일~1월 31일

 번 호  명 칭  출 원 인

 10-2006-0057547  적층 세라믹 콘덴서 제조용 초고압 압착지그 관의 코팅 방법   이익수
 10-2006-0058801   플랙시블 세라믹 패드와 그 제조방법 및 그 이용률  주식회사 네오이엔티
 10-2006-0063068   세라믹 수분흡습제 및 분말성형 제조방법  차성도
 10-2006-0067611  칩 세라믹 전자부품  조인셋 주식회사
 10-2006-0071565   세라믹 부품 및 그 제조방법  조인셋 주식회사  
 10-2007-0015622  고저항 세라믹 열용사 코팅 소재 및 이를 포함하는 정전척의 제조방법  충남대학교 산학협력단
 10-2007-0140022 저온 동시소성 세라믹 (LTCC) 테이프 조성물, 발광다이오드(LED)모듈,  이아이듀폰디네모아앤드컴퍼니
  조명장치 및 이들의 형성방법   
 1020077025285 세라믹 스페이스 트랜스포머에서의 프로브 패드 구조 에스브이프로브피티이엘티디
 1020077026223   세라믹 예비성형 물품의 치수 안정적 소결을 위한 장치 및 공정 쓰리엠이노베이티브프로퍼티즈컴퍼니
 1020077026725 유리-세라믹 판 및 이들의 제조 방법 유로케라에스.엔.씨. 
 1020010027683 유리강화방법 정운왕
 1020060071519 유리전광판 및 그 제조방법 박유필

◈ 외국인                                                                                                                                 2007년 1월 1일~1월 31일

 번 호  명 칭  출 원 인

 10-2007-7023726 경화 광물 건축 재료, 천연석, 인조석 및 세라믹의 표면처리를 위한 하이드로포빈의 용도 위바스프악티엔게젤샤프트
 10-2007-7024566 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 무라타세이사쿠쇼
 10-2007-7027367 세라믹 전자부품 및 그 제조방법  무라타세이사쿠쇼
 1020010031760 반도체 장치 제조방법 한도오따이에네루기켄큐쇼
 1020010049939 반도체 집적 회로 히타치세이사쿠쇼
 1020010027683 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로 및 반도체 장치 소니
 1020077020234 형광체 복합 유리, 형광체 복합 유리 그린 시트 및 형광체복합 유리의 제조 방법 니폰덴키가라스
 1020077024805  비스무트 산화물을 포함하는 광학유리  오하라
 1020077026093   스텝 다운（STEP-DOWN） 조정기를 사용한 LED전류 바이어스 제어 회로 및 그 방법 카탈리스트세미컨덕터,인크

주요 등록특허 공개내용             (2007년 1월 1일~1월 31일)

저 손실 유전체 기판 소재용 필러 조성물 및 저 손실유전체 기판 소재
등록번호｜10-2008-0001353         출원번호｜10-2006-0059758
특허권자｜요업기술원                               발 명 자｜신효순 외 4인
본 발명은 저 손실 유전체 기판 소재용 필러 조성물 및 저 손실 유전체 기판 소재에 관한 것 이다.
저 손실 유전체 기판 소재는, 기판 소재로 적용될 수 있는 BCB, PPE, 시아네이트계 및 에폭시 수지 등으로 이루어지는 수지군 으로부터 선택되는 기판 소재용 수지와 세라믹 파우더로 되는 기판 소재용 필러 조성물을 포함하여 되는 것이다.
본 발명 이후, LTCC 시장을 PCB를 이용한 유기 모듈 시장으로 전환시킬 수 있다.     

압전 세라믹스, 이의 제조 방법 및 압전 소자
등록번호｜10-2008-0004903         출원번호｜10-2006-0063818
특허권자｜요업기술원                               발 명 자｜신효순 외 4인
본 발명은 기본 조성인 Li0.06(K1/2Na1/2)0.94(Nb0.92Sb0.08)O3에 고용체로 BiFeO3, (K1/2Bi1/2)TiO3 또는 Ba(Fe1/2Nb1/2)O3로부터 선택된 하나의 화합물이 합성된 것을 특징으로 하는 압전 세라믹스, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 압전 소자를 제공한다. 이에 따라, 본 발명은 Pb를 포함하지 않는 페로브스카이트 구조의 압전 세라믹스를 제조할 수 있다. 또한, 압전 세라믹스의 안정성 및 재현성을 향상시키고 환경 오염을 방지할 수 있으며, 이를 이용하여 우수한 전기적 특성 및 신뢰성을 갖고 친환경적인 압전 소자를 제조할 수 있다. 기본 조성인 LI0.06(K1/2NA1/2)0.94(NB0.92SB0.08)O3에 고용체로 BIFEO3, (K1/2BI1/2)TIO3 또는 BA(FE1/2NB1/2)O3로부터 선택된 하나의 화합물이 합성된 것을 특징으로 하는 압전 세라믹스이다.     

키보드 자가발전장치
등록번호｜10-2008-0007707         출원번호｜10-2006-0066673
특허권자｜요업기술원                              발 명 자｜백종후 외 3명
본 발명은 사용자가 키보드를 누르기 위하여 제공하는 운동 에너지를 전기 에너지로 변환하는 키보드 자가발전장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 적어도 하나 이상의 키(key)로 구성되는 키보드를 구비하여 이로써 사용자의 입력을 전달받는 전자기기에 있어서, 상기 키의 하단부에 배설되어 상기 사용자가 상기 키를 눌러 하방으로 가압하는 외력에 의하여 타격되어 전위차를 발생하는 압전소자를 구비하는 압전소자부와, 상기 압전소자부에 연결되고 상기 전위차를 입력받아 이를 정류한 후 펄스폭 변조(PWM) 방식으로 미리 설정된 전압레벨로 조절하여 충전소자에 전압을 충전하는 전기회로부를 포함한다. 이리하여 상기 충전된 전압으로 전력을 상기 전자기기에 공급하게 된다.      

유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터
등록번호｜WO 2006/114914              출원번호｜10-2007-7024566
특허권자｜가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼     
발 명 자｜타케다 토시카즈 외 3명
텅스텐 브론즈형 복합 산화물을 사용한 액츄에이터용 압전자기에 대해서 기재되어 있으나, 비유전율이 2000미만으로 낮아, 적층 세라믹 커패시터용의 유전체 세라믹 재료로서는 부적합하다. 또한, Mn은 소결성을 향상시키는 효과는 있으나, 특허문헌 1의 표 2로부터도 명백하듯이 Mn의 첨가량이 증가함에 따라 비유전율이 저하하기 때문에, 적층 세라믹 커패시터용의 유전체 세라믹 재료로서 사용하기에는 문제가 있다. 본 발명의 유전체 세라믹 조성물은, 조성식(K1yNay)Sr2Nb5O15(단, 0≤y＜0.2)로 표시되는 텅스텐 브론즈형 복합 산화물을 주성분으로서 포함하는 유전체 세라믹 조성물이며, 상기 주성분 100몰부에 대하여 0.1~40몰부의 Mn을 부성분으로서 포함하고 있다.     

비스무트 산화물을 포함하는 광학유리
등록번호｜WO 2006/118326         출원번호｜10-2007-7024805
특허권자｜가부시키가이샤 오하라      발 명 자｜후, 지에 외 1명
굴절률(nd)이 1.85이상이고, 아베수(Abbe number, Vd)가 10내지 30범위 내이며, 정밀 몰드 프레스에 의한 성형에 사용하기 적합한 광학유리를 제공한다. 상기 광학유리는 각 성분은 산화물 기준 몰%로 하여, 3내지 60%의 B2O3 + SiO2, 25 내지 80%의 Bi2O3, 5내지 60%의 RO + Rn2O(여기서, R은 Zn, Ba, Sr, Ca, 및 Mg로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 나타내며, Rn은 Li, Na, K, 및 Cs로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 나타낸다.)를 포함하는 것을 특징으로 하며, 가시영역에서 투명도가 높으며, 전이점(Tg)이 480℃ 이하인 것을 특징으로 한다. 상기 광학유리는 두께가 10mm인 경우, 600nm의 파장에서 분광투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 한다.