(2009년 9월 1일~9월 30일)
SMD형 세라믹 디스크 커패시터
등록번호|10-0917645-0000 출원번호|10-2007-0040030특허권자|삼화콘덴서공업주식회사
발 명 자|윤중락 외 3명
SMD형 세라믹 디스크 커패시터가 개시되어 있다. 스위칭 회로, 스위칭 회로로 부터 출력되는 신호를 증폭시키는 변압기, 변압기로부터 출력되는 전압에 의해서 점등되는 형광 램프 및 형광 램프에 직렬 연결되는 SMD형 세라믹 디스크 커패시터를 포함하는 인버터에 있어서, SMD형 세라믹 디스크 커패시터는 육면체로 이루어진 세라믹 디스크, 세라믹 디스크의 제 1 면에 형성되는 제 1 전극, 세라믹 디스크의 제 2 면에 형성되는 제 2 전극, 제 1 전극과 이격되며, 상기 제 1 전극의 주위를 둘러싸며, 폐루프 형상을 가지고, 도전재질로 이루어진 가이드 링, 제 1 전극과 전기적으로 접속되는 제 1 리드단자, 제 2 전극과 전기적으로 접속된 제 2 리드단자 및 세라믹 디스크, 제 1 전극, 제 2 전극, 제 1 리드단자의 일부 및 제 2 리드 단자의 일부를 감싸며, 절연하는 몰딩부를 포함한다. SMD형 세라믹 디스크 커패시터는 가이드 링에 의해서 연면 방전을 최소화 할 수 있다.
할로겐-함유 플라즈마에 노출된 표면의 부식 속도를감소시키는 장치 및 방법
등록번호|10-0917292-0000 출원번호|10-2007-0073619
특허권자|어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
발 명 자|제니퍼, 선, 와이. 외 4명
반도체 프로세싱에 이용되는 할로겐-함유 플라즈마에 의한 부식에 저항하는 세라믹 제품이 제공된다. 세라믹 제품은 통상적으로는 2개 상 내지 3개 상을 포함하는 다상인 세라믹을 포함한다. 제 1 실시예에서, 세라믹은 약 50mole% 내지 약 75mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물 및 약 10mole% 내지 약 30mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 스칸듐 산화물, 네오디뮴 산화물, 니오븀 산화물, 사마륨 산화물, 이테르븀 산화물, 에르븀 산화물, 세륨 산화물 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹에서 선택되며 상기 적어도 하나의 다른 성분의 농도 범위는 약 10mole% 내지 약 30mole%의 몰농도 범위를 가지는 적어도 하나의 다른 성분으로 형성된다. 제 2 실시예에서, 세라믹 제품은 약 90mole% 내지 약 70mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물, 및 약 10mole% 내지 약 30mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물을 가지는 이트륨 산화물 및 지르코늄 산화물의 조합물로 형성된 세라믹을 포함하며, 세라믹의 평균 그레인 크기 범위는 약 2㎛ 내지 약 8㎛이다. 제 3 실시예에서, 상기 세라믹 제품은 약 96mole% 내지 약 94 mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물, 및 약 4mole% 내지 약 6 mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물로 형성된 세라믹을 포함한다.
초음파분무법을 이용한 세라믹 중공구 제조방법
등록번호|10-0917969-0000 출원번호|10-2007-0028459특허권자|셀룬코리아(주) 외 2명 발 명 자|고승현 외 1명
본 발명은 물유리, 콜로이달 실리카, 실리콘알콕사이드, 알루미늄나이트레이트, 금속산화물, 금속염 중 어느 하나의 물질을 출발물질로 하여 sol상태의 발포제를 함유하는 액상의 전구체를 얻는 단계와, 상기 액상의 전구체에 초음파를 가하여 액상의 전구체가 분무되도록 함으로써 에어로졸을 형성하는 단계와, 상기 형성된 에어로졸을 70~400℃의 온도로 건조시켜 미립의 분말을 얻는 단계와, 상기 미립의 분말을 1,000~1800℃의 불꽃에 직접 통과시키는 단계에 의해 제조되어진 초음파분무법을 이용한 세라믹 중공구 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 별도의 분쇄공정 및 용액의 건조가 필요 없어 제조 시간이 단축되는 효과를 갖는 것이며, 또한 본 발명은 제조하기 위한 설비의 규모가 간단하고 세라믹 중공구 회수율이 높아 저가이면서도 고효율, 고품질의 세라믹 중공구를 얻을 수 있는 것이다.
또 본 발명은 초음파 주파수에 따른 입자크기의 조절이 가능하고, 분쇄과정이 없으므로 분쇄에 의한 입자파괴가 없어 당연히 중공구 형성율이 높아지게 되며, 연속대량생산방식에 적합하여 제조설비가 비교적 저렴하고 간단한 구조를 갖는 매우 유용한 발명인 것이다.
반도체 처리 장비의 풀러린 코팅 컴포넌트
등록번호|10-0916952-0000 출원번호|10-2009-7002087특허권자|램 리써치 코포레이션
발 명 자|오도넬 로버트 제이. 외 2명
반도체 처리 장비 컴포넌트의 표면 코팅 방법으로서, 상기 컴포넌트의 외측 침식 방지 표면을 형성하기 위해 상기 컴포넌트의, 플라즈마에 노출된, 표면상에 풀러린 (fullerene) 함유 코팅물을 증착하는 단계를 포함하고, 풀러린은 상기 풀러린 함유 코팅물의 연속적인 기지상(matrix phase)을 형성하고, 상기 표면은 플라즈마의 침식을 방지하고, 상기 반도체 처리 장비 내의 반도체 기판을 플라즈마 처리하는 동안에 파티클 오염을 감소시키는, 반도체 처리 장비 컴포넌트의 표면 코팅 방법.
무연 유리, 후막 페이스트, 및 그로부터 제조된 테이프조성물 및
저온 동시소성 세라믹 소자
등록번호|10-0918769-0000 출원번호|10-2008-0048587특허권자|이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
발 명 자|행, 케네쓰, 웨렌 외 2명
본 발명은 몰% 기준으로 B2O3 46 내지 56%, P2O5, SiO2 및 이들의 혼합물 0.5 내지 8.5%, CaO 20 내지 50%, Ln2O3(여기서, Ln은 희토류 원소 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택됨) 2 내지 15% , M’2O(여기서, M´은 알칼리 원소로 이루어진 군에서 선택됨) 0 내지 6% 및 Al2O3 0 내지 10%로 본질적으로 구성되며, 수 분쇄가능한(water millable) 유리 조성물이다. (a) 몰% 기준으로, B2O3 46 내지 57.96%, SiO2 0.5 내지 4.9%, CaO 20 내지 50%, Ln2O3 2 내지 15%, M’2O 0.5 내지 6% 및 Al2O3 0 내지 10%를 포함하며, 여기서, Ln은 희토류 원소 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되고, M’은 알칼리 원소로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 유리 조성물 25 내지 100 중량%, (b) 내화성 산화물 0 초과 75 중량% 이하, (c) 그 용액 중에 상기 유리 조성물 및 내화성 산화물이 분산되어 있는 유기 중합체 바인더 전체 조성물 기준으로 5 중량% 이상 30 중량% 이하를 포함하며, 중량%는 고체를 기준으로 한 것인 조성물.
적층형 정특성 서미스터 조성물 및 제조방법
등록번호|10-0916135-0000 출원번호|10-2007-0094878 특허권자|한국세라믹기술원 & 이건테크놀로지 주식회사
발 명 자|전명표 외 3명
본 발명은 환원분위기중에서 소성된 PTC 서미스터의 실온저항을 낮추고, 비저항변화율을 향상시키는 내환원성 분말과 그 제조방법 및 내부전극과 반도체 세라믹층을 교대로 적층하고 동시소성하여 얻어지는 적층형 PTC 시미스터에 있어서, 적층형 PTC 서미스터의 낮은 실온저항과 높은 비저항변화율을 갖는 적층형 PTC 서미스터를 제공한다.
본 발명에서 제공하는 내환원성의 분말제조방법으로는 하소공정시 혼합분말 주변의 가스분위기를 공기, 산소/질소=20/80, 질소, 수소/질소=5/95, 수소/질소=10/90으로 형성하여 각기 다른 비화학양론적 조성물을 형성한다. 또한 상기의 조성물을 반도체 세라믹층이 되도록 세라믹 그린시트를 제조, 각각의 세라믹 그린시트를 조합하여 내부전극과 교대로 적층하여 얻어지는 적층형 PTC 서미스터를 제조함으로써 종래기술로 제조된 적층형 PTC 서미스터의 PTC특성을 향상시킨다.
연속식 수열합성 반응기를 이용한 지르코니아,
이트리아안정화 지르코니아 분말의 제조
등록번호|10-0918994-0000 출원번호|10-2002-0005132특허권자|(주) 나노랩 발 명 자|원창환
연속식 수열합성 반응기를 통하여 지르코니아, 이트리아 안정화 지르코니아분말을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 기존의 수열합성기는 원료의 장입, 반응, 배출등의 공정을 진행하기 위해 장시간이 소요되며, 반응기의 승온, 냉각시에 에너지소모가 많은 단점이 있었다. 본 발명에서는 이러한 단점을 극복하고, 연속적으로 양산할 수 있는 수열합성 반응기를 발명하였으며, 본 반응기를 이용하여 지르코니아, 이트리아 안정화 지르코니아분말을 제조하였다. 본 발명에 따르면, 지르코니아분말의 경우 Zr(OH)4 혹은 ZrOCl2·8H2O등과 NaOH 또는 KOH, H2O등을 수열합성 반응기에 장입한 후 150∼200℃에서 수열합성 시킨다. 이트리아 안정화 지르코니아분말의 경우는 Zr(OH)4 혹은 ZrOCl2·8H2O등과 YCl3·6H2O, NaOH 또는 KOH, H2O 등을 수열합성 반응기에 장입한 후 150∼200℃에서 수열합성 시킨다. 그 결과로서 생성된 생성물을 수열합성 반응기로부터 취출하여 수세한 후 100℃에서 24시간 건조시키면 지르코니아, 이트리아 안정화 지르코니아분말을 얻을 수 있다.
플라즈마 처리장치 및 처리방법
등록번호|10-0920423-0000 출원번호|10-2006-0033316특허권자|주식회사 에이디피엔지니어링
발 명 자|이충선
본 발명은 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대면적 기판의 효율적인 식각을 위하여 식각 종료점을 검출할 수 있게 한 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명은, 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리장치의 내벽 중 적어도 2 개 이상의 지점에 각각 위치되며 각 지점마다 플라즈마에서 발생되는 광이 내부에 굴절되면서 수광되는 수광 수단; 상기 수광 수단의 끝단에 구비되며 이 수광 수단을 통해 수집된 광량의 변화량을 각각 분석하여 식각 종료점을 검출하는 검출수단; 상기 검출수단과 연결되며 상기 수광 수단들의 광량 출력값이 시각적으로 출력되는 디스플레이수단; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
강자성 터널 접합 소자, 그 제조 방법, 및 그것을 이용한
자기 헤드, 자기 메모리
등록번호|10-0917560-0000 출원번호|10-2007-0096414 특허권자|후지쯔 가부시끼가이샤 발 명 자|사또오 마사시게 외 2명양호한 자기 특성을 갖고, 또한 터널 저항 변화율의 저하를 억제할 수 있는 강자성 터널 접합 소자를 제공한다. 자화 방향이 고정된 강자성 재료로 이루어지는 핀드층(20, 22) 상에, 전자가 터널 현상에 의해 투과하는 두께의 배리어층이 배치되어 있다. 배리어층 상에, 외부 자장의 영향을 받아 자화 방향이 변화되는 비정질 또는 미결정질의 연자성 재료로 형성된 제1 프리층이 배치되어 있다. 제1 프리층 상에, 외부 자장의 영향을 받아서 자화 방향이 변화되는 동시에, 제1 프리층과 교환 결합한 결정질의 연자성 재료로 형성된 제2 프리층이 배치되어 있다. 자화 방향이 고정된 강자성 재료로 이루어지는 핀드층과, 상기 핀드층 상에 배치되고, 전자가 터널 현상에 의해 투과하는 두께의 배리어층과, 상기 배리어층 상에 배치되고, 외부 자장의 영향을 받아 자화 방향이 변화되는 비정질 또는 미결정질의 연자성 재료로 형성된 제1 프리층과, 상기 제1 프리층 상에 배치되고, 외부 자장의 영향을 받아서 자화 방향이 변화되는 동시에, 상기 제1 프리층과 교환 결합한 결정질의 연자성 재료로 형성된 제2 프리층을 갖는 강자성 터널 접합 소자.
은-황-실리카 나노 복합물 콜로이드 용액 및 이를 포함하는
수용성 금속가공유 조성물, 그리고 이들의 제조방법
등록번호|10-0916360-0000 출원번호|10-2007-0083991특허권자|주식회사 비아이티범우연구소
발 명 자|김명원 외 3명
본 발명의 은-황-실리카 나노 복합물 콜로이드 용액의 제조방법은, 은-황-실리카 나노 복합물 입자들의 콜로이드 용액을 준비하는 단계와, 상기 준비된 은-황-실리카 나노 복합물 콜로이드 용액을 1~3개의 수산화기를 포함하는 탄소수 3~8개의 알코올 용매에 희석하는 단계와, 상기 희석된 은-황-실리카 나노 복합물 콜로이드 용액을 약 -10~25℃의 온도 하에서 숙성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 수용성 금속가공유 조성물은 1종 이상의 윤활기유 약 30~70 중량%, 계면활성제 약 10~50중량%, 첨가제 약 3~50중량% 그리고 전술한 방법에 의해 제조된 은-황-실리카 나노 복합물 콜로이드 용액 약 1~8중량%를 포함한다.
본 발명의 수용성 금속가공유 조성물은 은-황-실리카 나노 복합물을 방부제로서 적용하여 지속적이고 우수한 내부패성을 발휘하며, 인체 또는 환경에 악영향을 미칠 수 있는 아민계, 붕소계, 염소계 첨가제와 아초산나트륨을 배제함으로써 인체에 보다 안전하고 환경에 대한 영향이 적으며 공업적으로 사용 시 반영구적으로 사용할 수 있는 장점이 있다.
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