日本그레인연구소(香川縣 國分寺町, 사장 太田仁司)는 東海대학의 安永暢男 교수의 협력을 얻어 실리콘 오염물질을 포함하지 않는 합성운모를 연마제로 사용한 실리콘웨이퍼의 마무리 연마법을 개발했다. 강알칼리 용액을 사용할 필요가 없고, 300밀리미터 대구경(大口徑) 웨이퍼도 균일하게 연마할 수 있다. LSI의 고집적화에 따른 요구를 만족시키고 있어 실리카를 대신할 연마재로서 반도체 업계의 주목을 받을 것 같다. 개발한 연마법은 합성운모(KMg 2.5Si4O10F4)를 연마재로 사용한다. 웨하의 표면에 운모가 닿으면 운모가 무너지며 칼륨원자가 분리된다는 것을 이용했다. 칼륨원자가 순수(純水)와 반응, 수산화칼륨이 되어 원자 레벨에서 웨이퍼의 연마면만을 깎는 원리이다. 실험에서는 순수와 합성운모를 슬러리 상태로 한 용액을 사용하여 경질의 연마 패드에 깐 웨이퍼를 연마했다. 그 결과, 표면의 평탄도와 미세한 흠집이 없고, 300밀리미터 웨이퍼면 안이 균일하다는 등 차세대 LSI에 필요한 성능을 실현했다. 현재는 실험실 단계로 제품화를 마이카(운모) 부문을 가진 토피 공업과 安永 교수 등 3자가 추진하고 있다. 웨이퍼의 래핑(거친 깎기)에의 응용과 페렛화한 합성운모로 직접 웨이퍼를 연마하는 방법도 검토 중. 앞으로 웨이퍼의 연마는 슬러리 상태의 용액을 사용하는 유리지석에서 페렛 등을 사용하는 고정 지석이 기본이 될 것이라는 견해가 지배적으로, 벌써 새로운 연마법에 대한 문의가 들어오고 있다고 한다. (NK)