일본 요코하마국립대학, 나고야대학, 초전도공학연구소, 통신종합연구소의 연구 그룹은 초전도물질을 사용한 고성능기억소자(메모리)를 개발했다. 이 메모리는 반도체형 메모리에 비해 10배의 속도로 기록할 수 있다고 한다. 이번에 개발된 메모리는 ‘단일 자속 양자(SFQ) 회로’라고 하는 금속 계열 초전도 재료로 만든 미소한 루프를 기본 소자로 하고 있다. 극저온하의 초전도재료에서 생기는 자속의 유무를 디지털 신호에 해당하는 ‘0'과 ‘1’로 대응시켜 메모리에 정보를 보존한다. 메모리의 연구 그룹은 이 메모리는 신 에너지 및 산업기술종합개발기구의 위탁으로 개발 되었으며, 메모리가 기간통신망용 서버 등 대규모 시스템에서부터 도입될 것으로 본다고 말했다.