내방사선성 탄화규소 MOSFET 개발 일본원자력연구소 高崎연구소의 연구팀은 내방사선 반도체로 기대되는 p채널의 탄화규소 MOSFET(금속산화막 반도체, 전계효과 트랜지스터)를 개발했다. 탄화규소 반도체는 내열성이 높고 방사선에 강하다는 점에서 우주선이 이리저리 날고 있는 우주환경이나 중성자, 감마선이 강한 원자로 주변의 일렉트로닉스 소자로서 기대된다. 이 연구팀은 지금까지 p형의 탄화규소 기판에 인을 고온이온 주입함으로써 n형층이 생긴다는 것을 발견하고 n채널의 MOSFET 개발에 성공한바 있다. 그러나 p채널의 MOSFET은 저저항 p형층의 제조와 전극의 형성이 어려워 개발이 지연되고 있었다. 이 연구팀은 이 문제에 도전, 탄화규소 반도체에 800℃라는 고온환경 하에서 알루미늄 이온을 주입하고, 그 후 1800℃, 1분간의 열처리를 함으로써 해결, p형 영역을 만드는데 성공했다. 또한 p형 영역에 알루미늄을 증착시켜 아르곤가스 속에서 850℃, 5 분간의 열처리를 함으로써 전극을 만드는 기술을 개발. 이러한 기술을 활용하여 p채널의 탄화규소 MOSFET을 시작했다. MOSFET은 실리콘MOSFET에 비해 300배 이상의 높은 내방사성을 발휘했다고 한다. 또 이 연구팀은 이로써 메모리 등의 소자개발이 가능하게 되었다고 하며 실용화를 위해 앞으로 더 연구해 나갈 것이라고 한다. (CJ)