접속이온빔 장치 활용 실리콘에 직경 800나노미터 깊이 15마이크로미터 역원추형 초미세심공(深孔)을 가공하는 데 성공 大阪산업대학의 田中武雄, 山田修兩 교수와 클러스터 테크놀러지(大阪府 東大阪市 澁川町 4의 5의 28, 사장 安達稔)은 집속 이온빔(FIB) 장치를 활용하여 실리콘에 직경 800나노미터, 깊이 15마이크로미터라는 역원추형 초미세심공을 가공하는데 성공했다. ‘손가락에 얻을 수 있는 화학공장’이라고 불리는 마이크로 TAS(토탈 애널리시스 시스템)의 유로형성에 이 기술을 응용한다. 이온 원에 갈륨 田中교수 등은 FIB의 헤드와 워크의 위치제어에 독자의 연구를 펼침으로써 이러한 초미세·심공 가공을 가능케 했다. 이온원 원소에는 갈륨을 사용했다. 원자의 질량에서 오는 파워와 이온 지름이 FIB의 가공용도에 가장 적합하다고 보았다. 내부에 미세가공을 실시한 마이크로 TAS는 미량의 화학물질을 반응시켜서 합성과 해석을 실시하는 화학공장. 시료가 극히 미량인 만큼 고정도(高精度)의 해석이 가능해진다. 공장의 설계는 용도에 따라 각기 다르다. 田中교수 등은 이 기술을 이용하여 클러스터 테크놀러지가 개발한 1분사·1피코(1조 분의 1) 리터라는 초미분사가 가능한 잉크젯 헤드를 탑재한 마이크로 TSA의 완성을 목전에 두고 있다. 이 마이크로 TSA는 유전자 등을 분자단위에서 해석할 수 있다. (NK)