日本공업대학 시스템 공학과의 鈴木淸 교수와 富山縣立 대학 공학부 기계시스템 공학과의 岩井學 조교는 도전성 다이아몬드 후막에 간단히 3차원 형상을 실시하는 기술을 확립했다. 방전가공을 함으로써 구멍뚫기나 단차형상과 같은 3차원 가공을 가능케 했다. 방전가공기의 전극재료에 같은 재질의 도전성 다이아몬드를 사용하여 전극의 소모를 억제, 정확한 형상을 만들 수 있다. 3차원 가공이 용이해짐으로써 도전성 다이아몬드막을 이용한 기능성 마이크로 부품 등의 개발에 탄력이 붙을 듯 하다. 지금까지 다이아몬드에 3차원 가공을 하려면 집속 이온빔 장치 등 고가의 장치가 필요했다. 또 방전가공에 대해서도 가공속도나 형상, 정밀도에 문제가 있었다. 따라서 鈴木 교수 등은 방전가공기의 전극 소재를 도전성 다이아몬드 후막으로 하는 것에 주목, 그것으로 방전가공함으로써 간단하며 정확한 3차원 가공을 가능케 했다. 구멍뚫기 가공에 성공한 이외에 단차가공에는 도전성 다이아몬드를 전극으로 채용. 기존의 구리전극이나 그라파이트 전극으로 도전성 다이아몬드를 가공하면 전극의 소모가 심하고 정확한 형상 만들기가 불가능했지만, 이 재질의 도전성 다이아몬드 전극은 거의 소모되지 않기 때문에 정확하게 쪼아 넣을 수 있다. 또 방전가공한 경우의 가공면 성상은 보다 짧은 펄스, 저전류의 가공조건에서 가공함으로써 그 향상에 대응할 수 있다고 한다. (NK)