富士通은 90나노미터 세대 이후의 초 LSI가공용 불화아르곤엑시머레이저 노광장치의 장치기인에 의한 선폭 변동을 고정도로 보정하는 기술을 최초로 개발했다. 이 장치의 렌즈에 형석이 사용되고 있는데 산란이 커서 레디스트 패턴에 커다란 치수 변동이 생긴다. 따라서 마스크 패턴 치수를 보정하는 기술에서 변동을 60% 억제할 수 있었다. 신기술은 장래의 불소 레이저, 극단자외(EUV)노광 등에도 응용할 수 있다고 한다. 이 장치기인은 노광장치 메이커를 불문하고 축소촬영렌즈에 사용되고 있는 유리재료인 형석 가공의 불충분성에 의한다. 거친 표면가공과 내부 굴절률 불균일성으로 미광(迷光, 플레어광)이 생기고 패턴 선폭 등이 변동하는 문제. 이 국재(局在) 플레어는 수 십 마이크로미터에 이르러 근접 효과의 10배나 되어 무시할 수 없게 되었다. 특히 트랜지스터의 게이트 길이의 불균일성을 일으키기 때문에 LSI 성능 저하로 이어진다. 이 회사는 이 국재 플레어의 영향을 고정도로 평가한 뒤에 모델화하여 그 영향이 저감될 수 있도록 고속으로 보정하는 기술을 개발했다. 구체적으로는 국재 플레어량을 이끌어내기 위해 주변에 존재하는 각각의 패턴의 면적에 의존한 복수의 정규분포관수의 조화에 따라 그에 근사한 모델을 개발. 국재 플레어량에 따라 선폭변동량을 보상하도록 마스크 설계 패턴 치수를 보정한다. 즉 국래 플레어량이 클수록 마스크패턴을 좁힐 수 있게 했다. 이것으로 90나노미터 세대의 로직 LSI에 적용하여 선폭 불균일성의 약 60% 절감을 실현했다. 불화아르곤의 차세대라고 하는 불소 레이저 엑시머 노광에서는 투영렌즈에 형석의 비율이 더욱 늘어나기 때문에 이 국재 플레어의 영향은 더욱 커질 것으로 보여져 신기술은 불소레이저 시대 이후에도 응용할 수 있을 것이라고 한다. (NK)