오사카대학 산업과학연구소의 楠瀨尙史 조수, 新原晧一 교수 등은 전도성이 있는 질화 알루미늄(A-N)세라믹을 개발하였다. 세라믹 안의 입계에 전도성 입자를 방전가공에 의한 미시가공이 가능하게 되는 것 이외에도 A-N의 고열전도성을 잃지 않고 전기전도율도 1센티미터 당 10의 마이너스 11승에서 10의 1승 시메시스까지 제어 할 수 있다. 열전도성, 전기절연성에 뛰어난 A-N을 부합화하여 새로운 특성을 추가하여 반도체 검사장비 부품 등 그 용도가 확대 되는 것을 기대할 수 있다. 전도성 A-N은 세라믹 안을 3차원으로 전반하고 있는 입계에 질화이토리움(YN)을 조사시켜 전도경로로 하기 때문에 전도성 입자양은 5%(체적비)이하로 가능하다. 입자분산형에서는 전도성입자는 20~30%(체적비)이상이 필요하다. 제작은 A-N에 조제로서 5~9%(중량비)의 이토리움(Y2O3)와 산화셀륨(CeO2)를 첨가하였다. Y2O3의 Y의 3~20%(몰비)를 Ce로 변환하도록 해보니 1775℃에서 12시간 질소중에 상압소결한 것에서 YN이 확인되었다. 소결의 온도, 시간, CeO2 첨가량 변화를 수반 전기전도율도 1센티당 10의 마이너스 11승에서 10의 1승 시메시즈까지 제어 가능하였다. 열전도율도 대폭 저하를 나타내지 않고 160와트 이상의 높은 수치를 유지하였다. 또, 전도성 A-N은 양극산화와 산성 용액 중산화에 의한 부도체화가 가능하다. 반도체 검사장치에 이용되는 부품에서는 수십 마이크로미터 단위에 정렬한 구멍 뚫기 가공이 필요한 경우도 있다. 이와 같은 가공에는 방전가공이 필요하여 재료에 도체검사 장치에서는 고열전도성, 실리콘에 가까운 열팽창지수, 정전기를 흘려보내는 정도의 성질도 요구되기 때문에 도전성 A-N은 이러한 용도에 적합하다 할 수 있다. (NK)