후지츠연구소와 통신종합연구소, 오사카 대학은 공동으로 질화 칼륨을 사용한 낮은 가격의 고전자 이동도트랜지스터(HEMT)를 개발하였다. 질화칼륨 HEMT는 고주파로 동작하는 훌륭한 성능을 갖는다. 단, 현재는 전류를 제어하는 전극을 소자 내부에 떨어뜨려 꽂는 구조가 주류인데 제조공정이 조금 번잡한 것이 결점이었다. 연구팀은 반도체 층의 두께 등을 적절히 제어하면 파내어 꼽지 않고 직접 전극을 달아도 동작시킬 수 있음을 찾아내어, 구조를 대폭 간략화 하였다. 실제 시험적으로 만들어 동작을 확인하였다. 휴대전화에서 기지국으로 발신하는 신호를 만드는 무선용 칩으로 2, 3년 이내에 실용화 한다는 생각이다. 현재, 휴대전화 무선용 칩의 주류는 바이폴라트랜지스터. 새롭게 개발한 질화칼륨 HEMT는 구조가 훨씬 간단하여 제조공정 수도 1/5로 낮아져 저가격으로 만들 수 있다. (CJ)