名古屋대학 공학연구과의 菅井秀郞 교수 등은 지금까지 계측이 곤란했던 플라즈마 밀도를 계측하는 플라즈마 센서를 최초로 개발했다. 그것도 1%의 초고감도로 계측할 수 있다. 독자의 표면파 공명방식을 채용하여 실현했다. 지금까지는 플라즈마 계측의 유효한 방법이 없었다. 이로써 LSI제조 등의 플라즈마 공정을 보다 고정도(高精度)로 제어할 수 있게 된다. 센서는 안테나를 넣은 동축케이블을 석영관에 봉입한 소형의 간단한 구조. 플라즈마를 발생할 때 일어나는 표면파를 거꾸로 센싱에 응용하는 발상으로 개발했다. 안테나 끝과 석영관을 밀착시킴으로써 감도를 1%로 1자릿수 개선할 수 있었다. 시스템은 센서 부분과 네트워크 애너라이저, 컴퓨터로 구성되고, 센서로부터의 신호를 해석하여 컴퓨터로 플라즈마 발생원에 피드백하는 구조. 플라즈마 밀도의 계측범위는 1입방미터 당 10의 14승에서 19승이라는 넓은 범위를 커버한다. 그 광범위에 걸쳐 1%의 미소변동을 계측할 수 있다. 게다가 0.1~1000파스칼의 넓은 방전범위에서 사용할 수 있고 석영관으로 싸여 있기 때문에 불순물 혼입이 없어 실용성이 높다. 종래의 센서는 플라즈마 장치 안이 불순물로 오염되는 등 실용상 문제가 있었다. 플라즈마원은 예를 들면 반도체 분야에서는 에칭이나 성막 등 전 공정의 50% 정도에 응용되고 있다. 그러나 그 플라즈마 밀도를 모니터링하는 기술이 없어 육감에 의존했던 것이 실정이다. 나노오더에 들어가 있는 LSI의 에칭에서도 신기술에 의해 고정도 가공이 가능하게 된다. (NK)