산업기술종합연구소의 門哲男 주임연구원은 텅스텐 옥시카바이드의 박막을 스테인리스강과 알루미늄 합금 기판 위에 합성하는데 성공했다. 비커스 경도는 최고 23.5기가펄스로 대표적인 경질막인 질화티탄(비커스 경도 19.25기가펄스)를 상회한다. 무공해 하드코팅법으로서 앞으로의 보급이 기대된다고 한다. 반응성 스팩터링법으로 생성했다. 통상의 스팩터링은 진공용기 속에서 알곤가스를 주입하면서 고전압을 가해 이온화한 알곤이 제막재료에 충돌, 튀어 날아간 금속원자로 기판 위에 막을 만든다. 이때 알곤과 함께 메탄과 이산화탄소를 함께 도입함으로써 금속과 산소, 탄소를 반응시켜 금속옥시카바이드 박막을 만든다. 門연구원은 지금까지도 이 방법으로 크롬과 몰리브덴의 옥시카바이드 경질막을 생성해 왔다. 텅스텐은 산소와 반응하기 어렵기 때문에 제대로 되지 않았다. 소량의 헬륨을 반응가스 속에 넣음으로써 이산화탄소의 이온화를 촉진, 입방정 구조를 가진 텅스텐 경질막의 생성에 성공했다. 경도도 크롬이나 몰리브덴옥시카바이드에 비해 가장 높다. 지금까지 금속 옥시카바이드의 생성은 육가크롬을 대표되는 금속핵사카르보닐을 분해하는 방법. 유해한 데다가 고가여서 대체기술이 요구되어 왔다. (NK)