명재민 교수팀(연세대 금속시스템공학전공)은 한국과학기술연구원 나노소자연구센터 한석희·이우영 박사팀과 공동연구 국내 최초로 자성반도체 재료 개발에 성공했다고 밝혔다. 지금까지 개발된 자성반도체 재료는 소수에 불과하며 일반적으로 이들 재료는 영하 150℃ 이하의 극저온에서만 자기적 특성을 나타내는 것으로 알려져 있어 실용성이 떨어지는 것으로 평가받아왔다. 그러나 이번에 공동 연구팀이 개발한 재료는 플라즈마를 이용한 분자선에피택시(MBE)방법으로 갈륨나이트라이드(GaN)에 망간(Ma)을 도핑한 반도체로서, 상온에서도 자기적 특성을 나타내기 때문에 실용성이 높으며, 미국, 일본에 이어 세계 3번째로 개발에 성공한 것이다. 앞으로 이 같은 자성반도체를 이용한 트랜지스터나 소자가 상용화될 경우 기존 컴퓨터의 하드디스크가 하나의 칩으로 대체될 수 있을 뿐 아니라 저장용량과 처리속도가 크게 향상되는 등 정보산업 전반에 걸쳐 파급효과가 매우 클 것으로 기대되고 있다. 명재민 교수는 “초기연구단계이긴 하지만 신개념 전자소자개발을 위한 기반재료가 확보됨으로써 선진국과 당당히 경쟁할 수 있게 됐다”며 “이번 개발로 반도체 메모리 세계 최강의 자리를 굳히기 위한 연구에 가속도가 붙게 됐다”고 말했다. 공동연구팀은 미국, 유럽, 일본 등에 관련 특허를 출원 중이며, 요소기술개발과 재료의 특성 향상 등 지속적인 연구를 통해 오는 2010년까지 신개념 전자소자를 상용화할 계획이다.