물질·재료연구기구의 渡邊賢司 주임연구원과 谷口尙 수석연구원 등은 육방정 질화붕소를 원자외 영역의 발광소자에 응용할 수 있다는 것을 해명했다. 이 물질이 반도체 레이저 등에 응용가능한 직접형 반도체라는 것을 실증한 이외에 이 발광선을 이용한 전자선 여기에 의한 실온원자외선 레이저 발진에도 성공했다. 카본 나노튜브나 다이아몬드 등의 전자선원과 조합시킴으로써 콤팩트한 자외선 레이저와 자외선 광원의 실용화를 기대할 수 있다. 이번에 정제한 원재료를 이용하여 고온(1500~1750℃), 고압(4.0~4.5기가펄스) 아래에서 발륨·질화붕소 혼합물의 용매를 이용하여 육성했다. 얻어진 육방정 질화붕소는 결정의 고유성질을 직접 관측할 수 있을 정도로 순도가 높았다. 또 이것을 이용하여 레이저 공진기 구조를 제작, 파장 215나노미터의 실온 레이저 발진을 확인했다. 콤팩트하고 효율이 높은 원자외 영역의 발광소자는 광촉매에 의한 환경오염물질의 분해처리법의 광원, DVD등의 광기록 디바이스의 고집적화, 형광등의 여기광원으로 이용하는 등 갖가지 응용분야가 기대된다. 200나노미터 부근의 원자외 파장영역은 반도체 발광소자로서는 미답의 파장영역으로 이 파장영역의 발광소자 개발에 대한 요구가 높아지고 있다. (NK)