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선폭 32나노미터 해상에 성공, 반도체 회로의 액침(液浸) 노광용 고굴절 액체 개발
  • 편집부
  • 등록 2005-05-31 18:48:50
  • 수정 2010-11-19 16:05:06
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JSR은 물을 이용한 액침 노광의 한계를 넘은 회로선폭 32나노미터의 해상에 성공했다. 액침 노광용 고굴절율 액체를 신규로 개발하여 달성했다. 반도체 회로패턴의 노광기술에서는 차세대인 65나노~45나노미터의 회로선폭에 대응하는 기술로서 불화 아르곤(ArF)액침이 가장 유력시되었고, 45나노미터 이후는 불소 다이머(F2)액침이나 초자외선(EUV)노광으로 이행한다고 생각되어 왔다. 이번에 개발한 액침노광기술로 회로선폭 32나노미터의 영역까지 ArF액침기술을 연명할 수 있게 된다. 액침노광은 노광장치의 투영렌즈와 웨하 사이에 물을 채워 해상도를 높이는 기술. 회로선폭 90나노미터의 양산으로 본격화되어 온 ArF의 다음 기술로서 개발이 진행되고 있다. 이번에 개발한 고굴절율 액체는 물 1.44에 대해 1.64로 최적의 굴절률과 높은 투과율을 갖기 때문에 촬영렌즈의 개구수(開口數)를 크게 할 수 있어서 해상도를 더욱 향상시켰다. 이로써 32나노미터까지, ArF 노광기술의 계속사용이 가능한 것이 된다. (일경산업)

 

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https://www.cerazine.net

 

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