에어워터와 大阪府立大 첨단과학연구소는 차세대 반도체 재료가 될 8인치 실리콘 카바이드(SiC)단결정 기판의 제조기술을 확립했다. 8인치의 대구경 기판 제조는 세계 최초라고 한다. 에어워터는 06년도에 샘플을 출하할 예정으로, 이것을 기점으로 앞으로는 기판제조를 주로 하는 반도체 사업에 진출을 검토. 이어서 질화갈륨을 이 기판 위에서 형성, 전자광융합 디바이스용 기판의 개발로 이어나갈 계획이다. 자사 개발의 고진공 에피탁셜 성장장치 ‘VCE’를 이용, 에피탁셜 성장으로 SiC층을 형성한다. 실리콘 온 인슐레이터(SOI)기판이라고 불리는 실리콘(Si)기판에 산화막을 형성한 뒤에 SiC 단결정을 성장시킨다. 이때, 두께 100나노미터의 표면 Si층을 5나노미터 정도로 얇게 하면 결함의 발생을 억제할 수 있다는 데 눈을 돌렸다. 지금까지 대구경 기판의 제조에 서는 결정결함이 과제로, 2~4인치가 주류였다. 제조온도도 종래의 승화법의 2000℃에 비해 1100℃로 저온이어서 제조원가 절감으로 이어진다. SiC반도체는 Si반도체에 비해서 고온동작성이나 디바이스 손실이 적어, 에너지 절약성 등의 특성을 가지고 있어 고내열(高耐熱)이나 고속 동작의 파워소자 개발에 도움이 된다. (NK)