東北大學의 川崎雅司 교수, 塚崎敦 대학원생 등은 산화아연의 효과적인 p형 불순물 첨가기술을 개발하여, 산화아연의 pn호모(동일)접합에 의한 전류주입 발광에 최초로 성공했다. n형 캐리어의 전자가 적은 고품질 무첨가 막을 만들고, 고온에서는 p형 불순물인 질소가 들어가기 어렵기 때문에 온도를 저온과 고온을 반복하는 온도변조법으로 실현했다. 이로써 싼값에 고효율적인 자외선 발광다이오드(LED)와 반도체 레이저의 실현에 한 발 다가섰다. 이것은 筑波大, 靜岡大, 東京工業大, 理化學硏究所, 物質·材料硏究機構와의 공동연구이다. 산화아연은 n형이 되기 쉽고, n형의 성질을 약화시키므로 잔류전자의 발생요인이 되는 결정결함은 가능한 한 없애는 성막기술을 개발. 실온의 전자이동도와 전자와 정공이 결합한 여기자의 발광수명이 10배 신장되는 등, 각각 최고를 실현시켰다. 게다가 p형을 만들기 위해 질소를 효율적으로 첨가하는 기술로서 온도변조법을 개발했다. 질소는 고온에서 첨가하기 어려우므로 400℃와 1000℃를 반복하는 방법으로 p형을 제작했다. 이것으로 산화아연끼리의 pn접합을 만들어 실온에서 자색발광을 확인했다. 산화아연은 값싼 재료로, 청색이나 자색 LED 등에 기대되고 있다. 특히 여기자 발광을 기대할 수 있고, 레이저로 만들면 고효율 발진이 전망된다. 그러나 완전한 p형 결합은 만들기 어려워 지금까지 산화아연에 의한 발광 예는 p형에 산화아연 이외의 재료를 이용한 헤테로(이종)접합에 의한 것이었다. (NK)