NEC와 과학기술진흥사업단(JST)은 공동으로 촉매인 철 박막을 코트한 사파이어 기판 위에 단층 카보나노튜브(SWCNT)를 화학기상성장(CVD)하는데 최초로 성공했다. 그 생성량이 사파이어 기판의 결정면에 의한 의존성이 있다는 것도 알았다. 지금까지 CVD에 의한 SWCNT의 선택 성장은 곤란했으나 이로써 철 박막의 패터닝만으로 SWCNT의 선택 성장이 가능해져 디바이스 제작이 크게 용이해진다. 공동팀은 온도 800℃의 반응로 속에 원료인 메탄을 넣고, 사파이어의 A, R, C 각 결정면에 촉매인 철 박막의 두께를 2, 3, 5 나노미터로 바꾸어 SWCNT의 생성이 어떻게 되는지를 조사했다. 그 결과, 사파이어 A면에 철막 2나노미터로 두꺼운 것과 얇을 때에는 생성량이 지름 1~1.7나노미터인 SWCNT인 경우가 가장 많았다. 이어서 R면이 많았다. C면에의 생성량은 적지만 철 박막이 두꺼워질수록 생성량이 늘어난다는 특이한 경향을 나타내었다. 결정면에 의한 의존성이 있는 것은 원자배열이 민감하게 영향을 주기 때문이라고 하며, 이러한 원자배열정보에 기초한 성장제어기술을 앞으로는 사파이어 기판 이외에도 응용할 수 있을 것이라고 한다. 또 사파이어와 촉매와의 조합도 있어, 코발트나 니켈에서는 부적합하며 철에서만 생성이 된다고 한다. 촉매금속의 막후 의존성은 원료인 메탄이 사파이어와 철에 닿는 비율이 좌우한다고 보고 있다. CNT를 트랜지스터의 채널에 이용할 경우, 반도체인 SWCNT가 필요. 지금까지 시작되었던 CNT 트랜지스터는 거의 레이저 어블레이션으로 제작한 것을 기판으로 배열되었다. 이것이 CVD로 선택적으로 기판 위에 성장되면 제품수율과 양산성이 향상, CNT 트랜지스터의 집적화에 크게 다가간다. 현재, CVD에 의한 SWCNT 생성은 촉매를 지원하는 지지재료로서 실리카나 알루미나 미분말 또는 제오라이트 등의 다공질 재료가 없어서는 안 된다. 이들을 미세하게 패터닝하는 것이 곤란하여 SWCNT 트랜지스터 형성의 걸림돌이 되어 왔다. (NK)