松下電器産業은 실리콘(Si) 기판 위에 결정성장시킨 질화갈륨(GaN) 소자를 사용하여 종래의 100배~1000배의 속도로 전류의 온·오프를 바꾸는 특성의 전계효과 트랜지스터(FET) 를 개발했다. 실리콘 소자의 FET를 10개 이상, 병렬로 사용할 경우와 동등 이상의 성능을 1칩으로 실현한다. 07년 10월까지 상품화할 계획이다. 실리콘의 5분의 1 이하라는 낮은 저항특성의 질화갈륨을 이용한 것과 함께 칩 표면에서 바닥 면에 가까운 실리콘 층에 이르는 구멍을 형성하는 새 구조를 고안하여 고속특성을 실현했다. 탑재기기의 전력 절약화, 소형화를 실현할 디바이스로서 폭넓은 수요를 기대한다. 질화갈륨은 단결정 기판 위에 결정성장시켜 디바이스 구조를 형성한다. 실리콘 기판은 값이 싼 반면, 층이 성장하는 과정에서 결함이 생기기 쉬워 전류특성을 손상시켰다. 松下는 名古屋工業大學(江川孝志 교수)과 공동연구하여 실리콘 기판과 질화갈륨 결정 사이에 질화알루미늄 등으로 완충층을 만들어 결함을 줄이는데 성공했다. 구멍을 형성하는 새 구조로 만듦으로써 칩 면적을 종래보다 30% 삭감할 수 있다. (NK)