연마 해외기술정보
물로 웨이퍼를 연마하는 지석 개발
고정도·작업환경 개선

日本그레인연구소(香川縣 國分寺町, 사장 太田人司)는 가습식으로 실리콘웨이퍼를 연마하는 지석을 개발했다. 웨이퍼 오염이나 연마 로스가 없이 높은 가공능률과 면(面)의 정도를 실현. 작업환경도 개선한다. 앞으로 종래의 강알칼리 용액 슬러리연마를 대신할 연마법으로 연마장치의 실용화를 목적으로 한다. 개발에는 中村等 八戶공업고등전문학교 강사, 安永暢男 東海대학교수 등과, 토피工業의 협력을 얻었다. 지석은 주원료에 10마이크로미터의 입상으로 분쇄한 불소 4규소 운도를 사용, 웨이퍼에 닿아 상처를 주지 않는 특수한 수지를 넣어 소결하여 프레스 성형했다.
원반 모양의 지석을 물로 가습하면서 회전시켜서 웨이퍼를 1분 당 0.5마이크로미터의 정도로 연마. 약 15분 만에 평균 조도가 0.12마이크로미터인 면 정밀도를 실현했다. 종래 웨이퍼의 마무리 연마는 강알칼리 용액을 사용하고, 웨이퍼 표면을 용해하면서 연마하였다. 따라서 웨이퍼 오염과 연마 로스가 있는 이외에 작업환경도 좋지 않았다.                           

(NK)