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- 초전도체 니오브계 단일자속양자회로에서 최초로 35기가헬츠 동작의 초고속 파켓 스위치 개발 반도체 비해 50배 고속
- NEC는 저온초전도체의 니오브계 단일자속양자(SFQ)회로에서 최초로 35기가헬츠 동작의 초고속 파켓 스위치를 시작했다.
랜덤 논리회로이기 때문에 고도의 설계를 요하여, 산학관 연대로 개발한 니오브계 ...
- 2003-07-14
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- 반도체 단일양자도트(SQD)이용, 구별 불가능한 단일광자 발생 성공
- 과학기술진흥사업단(JST)은 반도체의 단일양자도트(SQD)를 이용하여 양자암호통신 중계에 없어서는 안될 ‘구별이 불가능한 단일광자’를 일정한 시각에 발생시키는데 최초로 성공했다고 발표했다.
JST의...
- 2003-07-14
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- 실리콘 28을 99.4%로 농축, 반도체 재료고성능화 동위체 분리법을 개발
- 일본원자력연구소의 원자분자과학연구팀은 힐리서치(東京都 港區)와 뉴클리어 디벨로프먼트(茨城縣 東海村)의 협력으로 반도체의 고성능 재료가 되는 실리콘 28을 99.4%로 농축하는 동위체 분리법의 개발...
- 2003-07-14
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- 대기 속에서 반도체에 구멍 뚫기 가공을 한 포노틱 결정(pc)을 개발
- 펨트초 테크놀러지 연구기구(FESTA)는 펨트초 레이저를 이용, 최초로 대기중에서 반도체에 구멍 뚫기 가공을 한 포노틱 결정(PC)를 개발했다. 레이저 파장을 반으로 하고, 가공 에너지의 최적화 등을 실리콘 ...
- 2003-07-14
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- 빛으로 세라믹을 반도체로, 태양전지 등 투명전극에 응용도 가능
- 과학기술진흥사업단(JST)의 호소노(細野) 투명전자활성 프로젝트(細野秀雄 東京공업대학 교수)는 일반적인 시멘트 원료이기도 한 알루미나와 생석회(산화칼슘)을 섞은 투명절연체 ‘C12A7’을 반도체로 바...
- 2003-07-14
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- 서울대 박윤 교수,게르마늄 이용 ´자성반도체´개발
- 서울대 박윤 교수,
게르마늄 이용 ‘자성반도체’ 개발
일반 반도체 재료인 게르마늄을 이용, 차세대 ‘자성반도체’를 만들 수 있는 길이 열렸다.
서울대 박윤 교수는 게르마늄에 망간을 첨가하는 ...
- 2003-07-09
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- 남 등 중금속 이온율 99.9% 제거하는 반도체용 여과장치 개발
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납 등 중금속 이온을 99.9% 제거하는 반도체용 여과장치 개발
리퀴드 콘샌드(兵庫縣 伊丹市, 사장 岡上公彦)는 납 등 중금속 이온을 99.9% 제거하는 여과장치 「SA필터」를 개발, 住友상사를 통해서 판매...
- 2003-07-09
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- 1.15~1.6마이크로미터 대외 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측
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1.15~1.6마이크로미터 대의 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측
上智大學의 克巳 교수 등은 질화물 반도체 초격자에서 1.15마이크로미터 대에서 1.6마이크로미터까지 서브밴드간 천이(ISBT)에 의한 광흡수를...
- 2003-07-09
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- 질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공
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질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공
上智대학의 岸野克巳 교수 등은 질화물 반도체에서 최초로 공명 터널 다이오드(RTD)의 실온동작에 성공했다. 분자선 에피탁시(MBE)로 계면을 급준...
- 2003-07-09
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- ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계 반도체 InP기판으로 부활의 조짐 보이기 시작, 수명 2500시간 돌파
- ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계 반도체
InP기판으로 부활의 조짐 보이기 시작, 수명 2500시간 돌파
신뢰성 수명이 나오지 않아, 환상의 청색 반도레 레이저로 끝났던 ⅡⅥ족의 셀렌화 아연계가 부활할 조짐을 ...
- 2003-07-09
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- 반도체 레지스트 기술과 금속산화물 졸겔법 조합 새로운 젤 포토닉 결정의 제작에 새 길 열어
- 반도체 레지스트 기술과 금속산화물 졸겔법 조합
새로운 겔 포토닉 결정의 제작에 새 길 열어
싼값에 타재료 첨가가 용이 신기능 재료에 기대
東京대학의 桑原誠 교수 등은 반도체 레지스트 기술과 ...
- 2003-07-09
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- 내구성 높은 반도체소자 만드는 신기술 개발
- 내구성 높은 반도체소자 만드는 신기술 개발
廣島대학 나노디바이스·시스템연구센터의 中島安理 조교수와 橫山新 교수는 내구성이 높은 반도체 소자를 만드는 신기술을 개발했다. 새 기술은 트랜지...
- 2003-07-09
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- 235나노미터로 반도체 다이아몬드 발광 다이오드에서 600배인 17마이크로와트 높이는데 성공,실용성능 근접
- 235나노미터로 반도체 다이아몬드 발광 다이오드에서
600배인 17마이크로와트 높이는데 성공, 실용성능 근접
東京가스의 프론티어 연구소는, 235나노미터로 반도체에서 가장 단파장 발광하는 다이아몬...
- 2003-07-08
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- 질화물 반도체와 격자정합성이 좋은 전도성 기판인 2붕화 지르코늄 개발
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질화물 반도체와 격자정합성이 좋은 전도성 기판인 2붕화 지르코늄 개발
물질·재료연구기구의 大谷茂樹 주임연구원, 名城대학의 赤松勇 교수, 京都대학의 松波弘之 교수와 京세라는 질화갈륨과 격...
- 2003-07-08
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- 빛의 파장범위가 넓고 1파코초 이하의 속도로 응답을 얻을 수 있는 가포화 광흡수 반도체 재료 개발 성공
- 빛의 파장범위가 넓고 1피코초 이하의 속도로
응답을 얻을 수 있는 가포화 광흡수 반도체 재료 개발 성공
千葉대학 공학부의 岡本紘 교수와 築波대학 물리학계의 本泰章 교수의 연구팀은 빛의 파장범...
- 2003-07-08
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- 반도체 실리콘웨이퍼 한번에 금속오염 제거하는 새 기능수 제조장치 개발
- 반도체 실리콘웨이퍼 한번에 금속 오염 제거하는 새 기능수 제조장치 개발
三井물산의 전액출자 자회사인 퓨어트론(東京都 港區, 사장 安西淸一)은 반도체 실리콘웨이퍼를 세정하는 현재의 ‘RCA방식...
- 2003-07-08
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- 고품질 다이아몬드 반도체 제작
- 고품질 다이아몬드 반도체 제작
NTT는 내부에 미소한 상처가 적은 다이아몬드 반도체를 제작했다고 발표했다. 트랜지스터에 사용하면 동작속도는 종래 다이아몬드 반도체의 20배나 향상할 전망으로, 1~2...
- 2003-07-08
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- 삼성전자,도시바와 반도체 전제품 특허공유
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삼성전자,
도시바와 반도체 전제품 특허공유
삼성전자와 일본 도시바가 오는 2009년 3월까지 6년반 동안 반도체 전제품의 특허를 공유하기로 ‘크로스 라이선싱’계약에 전격 합의했다. 양사는 특히 ...
- 2003-07-08
