Ceramic Korea (세라믹뉴스)

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금 나노 미립자의 흡광성 응용 미세가공 프로세스 확립

미츠호시벨트는 금 나노 미립자의 빛을 흡수하는 성질을 이용한 미세가공 프로세스를 확립했다. 금 나노 미립자를 분산한 폴리머를 이용하여 레이저 가공하는 구조. 빛의 흡수율이 높기 때문에 레이저의 …

2004-11-21 22:57:07
신개발 전자석 사용 정상자장 37.9테슬러 달성

물질·재료연구기구는 신개발 전자석을 사용하여 일정시간 유지할 수 있는 ‘정상자장’으로서는 일본 최고인 37.9테슬러를 달성했다고 발표했다. 전력소비는 종래보다 1메가와트 삭감, 장시간 이용의 전…

2004-11-21 22:56:11
실리사이드 합금 채용, 기생저항을 저감한 금속 소스/드레인 전극 개발

東芝는 미세·고성능 CMOS용으로 현행 실리사이드 기술을 이용, 기생저항이 적은 금속접합(쇼트키 접합)형 소스/드레인 전극기술을 개발했다. 현행 실리사이드 접합계면에 불순물을 편석(偏析)시켜, 실질적…

2004-11-21 22:55:44
급가열·급냉각에 견디는 대형 세라믹 성형법 개발

丸十(愛知縣瀨戶市, 사장 加藤孝保)는 상온에서부터 800℃까지의 급가열, 그 반대인 급냉각에도 견딜 수 있는 대형 세라믹스의 성형법을 확립했다. 급열급냉에 견딜 수 있는 치과용 그릇의 생산기술을 기…

2004-11-21 22:55:24
원료 대비 제품의 비율 2배로 향상, 전자빔으로 배선 강화

東芝와 소니는 회로선폭 65나노미터의 차세대 반도체에서 원료 대비 제품의 비율을 2배로 높일 수 있는 제조기술을 개발했다. 고밀도 배선이 필요한 차세대 반도체에서는 배선의 박락(剝落)이 불량품의 큰…

2004-11-21 22:55:12
세라믹스 막 형성 시 균열의 발생을 억제, 원심력 이용하여 소결

산업기술종합연구소의 선진제조 프로세스 연구부문은 新東브이세라믹스(愛知縣豊川市, 사장 松浦卓也)와 공동으로 원심력을 이용한 소결기술을 사용하여, 세라믹스 막을 형성할 때에 발생하는 미세한 …

2004-11-21 22:54:58
입방정 탄화규소 반도체 기판 전계효과 트랜지스터 개발 세계최고의 채널 이동도

일본원자력연구소와 산업기술종합연구소는 입방정 탄화규소 반도체를 기판으로 한 고성능 금속산화막 반도체(MOS) 전계효과 트랜지스터(FE T)를 공동 개발하여, 성능의 지표인 채널 이동도 1볼트초 당 230…

2004-11-21 22:54:42
열전변환재료 내부구조를 해명, 결정과 비결정 공존

名古屋대학 등 미국, 일본, 유럽 공동팀은 열을 전기로 변환하는 ‘열전변환재료’의 구조를 원자레벨에서 해명했다. 재료의 내부에 결정부분과 원자가 무질서하게 존재하는 부분이 공존해 있었다고 한…

2004-11-21 22:54:15
차세대 기능성 재료의 개발 세라믹층상 화합물 활용, 결합정도가 다른 특성에 주목

광물질 원료를 고온가열하여 소결 또는 용융시켜서 제조하는 세라믹스로 그 속에는 층상화합물이라는 물질이 있다. 강한 화학결합으로 된 층(호스트층)과, 비교적 약한 결합의 원자, 이온, 분자 등의 층(…

2004-11-21 22:53:03
‘2004 북경국제신재료가공응용전시회 및 포럼’ 개최

9월 21일~24일 북경 해정전시관, 올해로 두 번째 개최, 100여개 업체 참여 5천여명 참관 금속·고분자·세라믹·복합재료 등 다양한 신재료 관련 제품 전시, 포럼도 동시 개최 2004 북경 국제 신재료 가공 …

2004-11-21 13:17:15

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